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资料编号:608020
 
资料名称:SI5853DC
 
文件大小: 122.33K
   
说明
 
介绍:
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si5853DC
Vishay Siliconix
文档 号码: 71239
s-21251—rev. b, 05-8月-02
www.vishay.com
2-5
典型 特性 (25
_
C 除非 指出) 场效应晶体管
10
-- 3
10
-- 2
11010
-- 1
10
-- 4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
单独的 脉冲波
职责 循环 = 0.5
Normalized 热的 瞬时 阻抗, 接合面-至-foot
正方形的 脉冲波 持续时间 (秒)
Normalized 有效的 瞬时
热的 阻抗
典型 特性 (25
_
C 除非 指出) 肖特基
-- 接合面 电容 (pf)
0.8 1.0
0.1
1
5
向前 电压 漏出
V
F
-- 向前 电压 漏出 (v)
-- 向前 电流 (一个)I
F
00.20.4
T
J
= 150
_
C
电容
0
30
60
90
120
150
048121620
V
KA
-- 反转 电压 (v
125 150
0.0001
1
20
反转 电流 vs. 接合面 温度
T
J
-- 接合面 温度 (
_
c)
-- 反转 电流 (毫安)I
R
0 255075100
C
T
10 V
0.001
0.01
0.1
10
20 V
0.6
T
J
=25
_
C
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