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资料编号:608020
 
资料名称:SI5853DC
 
文件大小: 122.33K
   
说明
 
介绍:
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si5853DC
Vishay Siliconix
www.vishay.com
2-4
文档 号码: 71239
s-21251—rev. b, 05-8月-02
典型 特性 (25
_
C 除非 指出) 场效应晶体管
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
012345
T
J
= 150
_
C
I
D
=2.7a
10
1
源-流 二极管 向前 电压 在-阻抗 vs. 门-至-源 电压
-- 在-阻抗 (r
ds(在)
)
V
SD
-- 源-至-流 电压 (v) V
GS
-- 门-至-源 电压 (v)
-- 电流 (一个)I
S
T
J
=25
_
C
0
30
50
10
20
电源 (w)
单独的 脉冲波 电源
时间 (秒)
40
1 100 6001010
-- 1
10
-- 2
10
-- 4
10
-- 3
10
-- 3
10
-- 2
1 10 60010
-- 1
10
-- 4
100
-- 0 . 2
-- 0 . 1
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
--50 --25 0 25 50 75 100 125 150
I
D
= 250
m
一个
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
单独的 脉冲波
职责 循环 = 0.5
门槛 电压
Variance (v)V
gs(th)
T
J
-- 温度 (
_
c)
Normalized 热的 瞬时 阻抗, 接合面-至-包围的
正方形的 脉冲波 持续时间 (秒)
Normalized 有效的 瞬时
热的 阻抗
1. 职责 循环, D =
2. 单位 根基 = R
thJA
=90
_
c/w
3. T
JM
-- T
一个
=P
DM
Z
thJA
(t)
t
1
t
2
t
1
t
2
注释:
4. 表面 挂载
P
DM
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