SKP02N120
SKB02N120
电源 半导体
2jul-02
热的 阻抗
参数 标识 情况 最大值 值 单位
典型的
igbt 热的 阻抗,
接合面 – 情况
R
thJC
2.0
二极管 热的 阻抗,
接合面 – 情况
R
thJCD
4.5
热的 阻抗,
接合面 – 包围的
R
thJA
至-220ab 62
smd 版本, 设备 在 pcb
1)
R
thJA
至-263ab(d2pak) 40
k/w
电的 典型的,
在
T
j
= 25
°
c, 除非 否则 指定
值
参数 标识 情况
最小值 典型值 最大值
单位
静态的 典型的
集电级-发射级 损坏 电压
V
(br)ces
V
GE
=0v,
I
C
=100
µ
一个
1200 - -
集电级-发射级 饱和 电压
V
ce(sat)
V
GE
= 15v,
I
C
=2A
T
j
=25
°
C
T
j
=150
°
C
2.5
-
3.1
3.7
3.6
4.3
二极管 向前 电压
V
F
V
GE
=0v,
I
F
=2A
T
j
=25
°
C
T
j
=150
°
C
-
2.0
1.75
2.5
门-发射级 门槛 电压
V
ge(th)
I
C
=100
µ
一个,
V
CE
=
V
GE
34 5
V
零 门 电压 集电级 电流
I
CES
V
CE
=1200v,
V
GE
=0V
T
j
=25
°
C
T
j
=150
°
C
-
-
-
-
25
100
µ
一个
门-发射级 泄漏 电流
I
GES
V
CE
=0v,
V
GE
=20V
- - 100 nA
跨导
g
fs
V
CE
=20v,
I
C
=2A
1.5 - S
动态 典型的
输入 电容
C
iss
- 205 250
输出 电容
C
oss
-2834
反转 转移 电容
C
rss
V
CE
=25v,
V
GE
=0v,
f
=1MHz
-1215
pF
门 承担
Q
门
V
CC
=960v,
I
C
=2A
V
GE
=15V
-11-nc
内部的 发射级 电感
量过的 5mm (0.197 在.) 从 情况
L
E
至-220ab - 7 - nH
短的 电路 集电级 电流
2)
I
c(sc)
V
GE
=15v,
t
SC
≤
10
µ
s
100V
≤
V
CC
≤
1200v,
T
j
≤
150
°
C
-24-一个
1)
设备 在 50mm*50mm*1.5mm 环氧的 pcb fr4 和 6cm
2
(一个 layer, 70
µ
m 厚) 铜 范围 为
集电级 连接. pcb 是 vertical 没有 blown 空气.
2)
允许 号码 的 短的 电路: <1000; 时间 在 短的 电路: >1s.
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