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资料编号:610473
资料名称:
SKP02N120
文件大小: 406.82K
说明
:
介绍
:
Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
SKP02N120
SKB02N120
电源 半导体
3jul-02
切换 典型的, inductive 加载,
在
T
j
=25
°
C
值
参数
标识
情况
最小值
典型值
最大值
单位
igbt 典型的
转变-在 延迟 时间
t
d(在)
-2330
上升 时间
t
r
-1621
转变-止 延迟 时间
t
d(止)
-
260
340
下降 时间
t
f
-6180
ns
转变-在 活力
E
在
-
0.16
0.21
转变-止 活力
E
止
-
0.06
0.08
总的 切换 活力
E
ts
T
j
=25
°
c,
V
CC
=800v,
I
C
=2a,
V
GE
=15v/0v,
R
G
=91
Ω
,
L
σ
1)
=180nh,
C
σ
1)
=40pF
活力 losses 包含
“tail” 和 二极管
反转 恢复.
-
0.22
0.29
mJ
反对-并行的 二极管 典型的
二极管 反转 恢复 时间
t
rr
t
S
t
F
-
-
-
50
ns
二极管 反转 恢复 承担
Q
rr
-0.10
µ
C
二极管 顶峰 反转 恢复 电流
I
rrm
-4.2
一个
二极管 顶峰 比率 的 下降 的 反转
恢复 电流 在
t
F
di
rr
/dt
T
j
=25
°
c,
V
R
=800v,
I
F
=2a,
di
F
/dt
=250a/
µ
s
-
400
一个/
µ
s
切换 典型的, inductive 加载,
在
T
j
=150
°
C
值
参数
标识
情况
最小值
典型值
最大值
单位
igbt 典型的
转变-在 延迟 时间
t
d(在)
-2631
上升 时间
t
r
-1417
转变-止 延迟 时间
t
d(止)
-
290
350
下降 时间
t
f
-
85
102
ns
转变-在 活力
E
在
-
0.27
0.33
转变-止 活力
E
止
-
0.11
0.15
总的 切换 活力
E
ts
T
j
=150
°
C
V
CC
=800v,
I
C
=2a,
V
GE
=15v/0v,
R
G
=91
Ω
,
L
σ
1)
=180nh,
C
σ
1)
=40pF
活力 losses 包含
“tail” 和 二极管
反转 恢复.
-
0.38
0.48
mJ
反对-并行的 二极管 典型的
二极管 反转 恢复 时间
t
rr
t
S
t
F
-
-
-
90
ns
二极管 反转 恢复 承担
Q
rr
-0.30
µ
C
二极管 顶峰 反转 恢复 电流
I
rrm
-6.7
一个
二极管 顶峰 比率 的 下降 的 反转
恢复 电流 在
t
F
di
rr
/dt
T
j
=150
°
C
V
R
=800v,
I
F
=2a,
di
F
/dt
=300a/
µ
s
-
110
一个/
µ
s
1)
泄漏 电感 l
σ
和 偏离 capacity c
σ
预定的 至 动态 测试 电路 在 图示 e.
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