首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:619935
 
资料名称:SPB70N10L
 
文件大小: 514.21K
   
说明
 
介绍:
SIPMOS Power-Transistor
 
 


: 点此下载
  浏览型号SPB70N10L的Datasheet PDF文件第1页
1

2
浏览型号SPB70N10L的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号SPB70N10L的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号SPB70N10L的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号SPB70N10L的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号SPB70N10L的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号SPB70N10L的Datasheet PDF文件第8页
8
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2001-08-24
页 2
初步的 数据
SPI70N10L
spp70n10l,spb70n10l
热的 特性
参数 标识 单位
最小值 典型值 最大值
特性
热的 阻抗, 接合面 - 情况
R
thJC
- - 0.6 k/w
热的 阻抗, 接合面 - 包围的, 含铅的
R
thJA
- - 62.5
smd 版本, 设备 在 pcb:
@ 最小值 footprint
@ 6 cm
2
冷却 范围
1)
R
thJA
-
-
-
-
62
40
电的 特性
, 在
T
j
= 25 °c, 除非 否则 指定
参数 标识 单位
最小值 典型值 最大值
静态的 特性
流-源 损坏 电压
V
GS
=0v,
I
D
=2mA
V
(br)dss
100 - - V
门 门槛 电压,
V
GS
=
V
DS
I
D
= 2 毫安
V
gs(th)
1.2 1.6 2
零 门 电压 流 电流
V
DS
=100v,
V
GS
=0v,
T
j
=25°C
V
DS
=100v,
V
GS
=0v,
T
j
=150°C
I
DSS
-
-
0.1
-
1
100
µA
门-源 泄漏 电流
V
GS
=20v,
V
DS
=0V
I
GSS
- 10 100 nA
流-源 在-状态 阻抗
V
GS
=4.5v,
I
D
=50A
R
ds(在)
- 14 25
m
流-源 在-状态 阻抗
V
GS
=10v,
I
D
=50A
R
ds(在)
- 10 16
1
设备 在 40mm*40mm*1.5mm 环氧的 pcb fr4 和 6cm² (一个 layer, 70 µm 厚) 铜 范围 为 流
连接. pcb 是 vertical 没有 blown 空气.
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com