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资料编号:620742
 
资料名称:SPP11N60S5
 
文件大小: 335.41K
   
说明
 
介绍:
Cool MOS⑩ Power Transistor
 
 


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2004-03-30rev. 2.1
页 7
spp11n60s5, spb11n60s5
SPI11N60S5
9 典型值 门 承担
V
GS
=
f
(
Q
)
参数:
I
D
= 11 一个 搏动
0 10 20 30 40 50
nC
65
Q
0
2
4
6
8
10
12
V
16
SPP11N60S5
V
GS
0.2
V
ds 最大值
0.8
V
ds 最大值
10 向前 特性 的 身体 二极管
I
F
=
f
(v
SD
)
参数:
T
j
, t
p
= 10 µs
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2 2.4
V
3
V
SD
-1
10
0
10
1
10
2
10
一个
SPP11N60S5
I
F
T
j
= 25 °c 典型值
T
j
= 25 °c (98%)
T
j
= 150 °c 典型值
T
j
= 150 °c (98%)
11 avalanche soa
I
AR
=
f
(
t
AR
)
par.:
T
j
150 °c
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
4
µs
t
AR
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
一个
11
I
AR
T
j
(开始)
=125°C
T
j
(开始)
=25°C
12 avalanche 活力
E
=
f
(
T
j
)
par.:
I
D
= 5.5 一个,
V
DD
= 50 v
20 40 60 80 100 120
°C
160
T
j
0
50
100
150
200
250
mJ
350
E
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