2004-03-30rev. 2.1
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spp11n60s5, spb11n60s5
SPI11N60S5
电的 特性
, 在
T
j
= 25 °c, 除非 否则 指定
参数
标识 情况 值 单位
最小值 典型值 最大值
特性
跨导
g
fs
V
DS
≥
2*
I
D
*
R
ds(在)最大值
,
I
D
=7A
- 6 - S
输入 电容
C
iss
V
GS
=0v,
V
DS
=25v,
f
=1MHz
- 1460 - pF
输出 电容
C
oss
- 610 -
反转 转移 电容
C
rss
- 21 -
有效的 输出 电容,
3)
活力 related
C
o(er)
V
GS
=0v,
V
DS
=0v 至 480v
- 45 - pF
有效的 输出 电容,
4)
时间 related
C
o(tr)
- 85 -
转变-在 延迟 时间
t
d(在)
V
DD
=350v,
V
GS
=0/10v,
I
D
=11a,
R
G
=6.8
Ω
- 130 - ns
上升 时间
t
r
- 35 -
转变-止 延迟 时间
t
d(止)
- 150 225
下降 时间
t
f
- 20 30
门 承担 特性
门 至 源 承担
Q
gs
V
DD
=350v,
I
D
=11A
- 10.5 - nC
门 至 流 承担
Q
gd
- 24 -
门 承担 总的
Q
g
V
DD
=350v,
I
D
=11a,
V
GS
=0 至 10v
- 41.5 54
门 plateau 电压
V
(plateau)
V
DD
=350v,
I
D
=11A
- 8 - V
1
repetitve avalanche 导致 额外的 电源 losses 那 能 是 计算 作
P
AV
=
E
AR
*
f
.
2
设备 在 40mm*40mm*1.5mm 环氧的 pcb fr4 和 6cm² (一个 layer, 70 µm 厚) 铜 范围 为 流
连接. pcb 是 vertical 没有 blown 空气.
3
C
o(er)
是 一个 fixed 电容 那 给 这 一样 贮存 活力 作
C
oss
当
V
DS
是 rising 从 0 至 80%
V
DSS
.
4
C
o(tr)
是 一个 fixed 电容 那 给 这 一样 charging 时间 作
C
oss
当
V
DS
是 rising 从 0 至 80%
V
DSS
.
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