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资料编号:620742
 
资料名称:SPP11N60S5
 
文件大小: 335.41K
   
说明
 
介绍:
Cool MOS⑩ Power Transistor
 
 


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2004-03-30rev. 2.1
页 5
spp11n60s5, spb11n60s5
SPI11N60S5
1 电源 消耗
P
tot
=
f
(
T
C
)
0 20 40 60 80 100 120
°C
160
T
C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
W
140
SPP11N60S5
P
tot
2 safe 运行 范围
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数 :
D
= 0 ,
T
C
=25°C
10
0
10
1
10
2
10
3
V
V
DS
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
一个
I
D
tp = 0.001 ms
tp = 0.01 ms
tp = 0.1 ms
tp = 1 ms
直流
3 瞬时 热的 阻抗
Z
thJC
=
f
(
t
p
)
参数:
D
=
t
p
/
T
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-1
s
t
p
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
k/w
Z
thJC
d = 0.5
d = 0.2
d = 0.1
d = 0.05
d = 0.02
d = 0.01
单独的 脉冲波
4 典型值 输出 典型的
I
D
=
f
(
V
DS
);
T
j
=25°C
参数:
t
p
= 10 µs,
V
GS
0 5 10 15
V
DS
25
V
0
5
10
15
20
25
一个
35
I
D
6V
7V
8V
9V
20V
12V
10V
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