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资料编号:623410
 
资料名称:SSD2007
 
文件大小: 181.77K
   
说明
 
介绍:
Dual N-CHANNEL POWER MOSFET
 
 


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图 1. 输出 特性 图 2. 转移 特性
图 6. Nomalized 在-阻抗 vs. 温度图 5. 损坏 电压 vs. 温度
图 3. 在-阻抗 vs. 流 电流
图 4. 电容 vs. 流-源 电压
0246810
0
2
4
6
8
10
Vgs=3V
Vgs=4V
Vgs=5V
Vgs=10V
I
D
, 流 电流 [a]
V
DS
, 流-源 电压 [v]
01234567
0
2
4
6
8
10
25
o
C
150
o
C
- 55
o
C
I
D
, 流 电流 [a]
V
GS
, 门-源 电压 [v]
5 10152025
0
80
160
240
320
@ 注释 :
1. v
GS
= 0 v
2. f = 1 mhz
C
rss
C
oss
C
iss
电容 [pf]
V
DS
, 流-源 电压 [v]
012345
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
GS
= 5 v
V
GS
= 10 v
R
ds(在)
, [
]
流-源 在-阻抗
I
D
, 流 电流 [a]
-50 0 50 100 150
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
I
D
= 250
µ
一个
BV
DSS
, (normalized)
流-源 损坏 电压
T
J
, 接合面 温度 [
o
C]
-50 0 50 100 150
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
GS
= 10 v
I
D
= 1.5 一个
R
ds(在)
, (normalized)
流-源 在-阻抗
T
J
, 接合面 温度 [
o
C]
双 n-频道
电源 场效应晶体管
SSD2007A
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