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资料编号:623410
 
资料名称:SSD2007
 
文件大小: 181.77K
   
说明
 
介绍:
Dual N-CHANNEL POWER MOSFET
 
 


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50
50
±
20
2.0
1.6
8.0
2.0
1.3
- 55 至 +150
300
8 sop
S
1
G
1
S
2
G
2
D
1
D
1
D
2
D
2
4
3
1
2
5
6
8
7
顶 视图
n-频道 场效应晶体管
!
极其 更小的 r
ds(在)
!
改进 inductive 强壮
!
快 切换 时间
!
坚毅的 Polysilicon 门 cell 结构
!
低 输入 电容
!
!
改进 高 温度 可靠性
!
表面 mounding 包装 :
8SOP
特性
绝对 最大 比率
流-至-源 电压(1)
流-门 电压(r
GS
=1.0m
)(1)
门-至-源 电压
持续的 流 电流 t
一个
=25
持续的 流 电流 t
一个
=100
流 电流-搏动 (2)
总的 电源 消耗 t
一个
=25
T
一个
=70
运行 和 存储
接合面 温度 范围
最大 含铅的 温度 为 焊接
目的, 1/16” 从 情况 为 5 秒
典型的 单位标识
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
T
J
, t
STG
T
L
一个
V
一个
V
DSS
V
V
DGR
V
V
W
注释 ;
(1) t
J
= 25
至 150
(2) repetitive 比率 : 脉冲波 宽度 限制 用 最大值 接合面 温度
rev. 一个
SSD2007A
双 n-频道 电源 场效应晶体管
D
1
,d
2
G
1
,g
2
S
1
,s
2
D
1
,d
2
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