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资料编号:623410
 
资料名称:SSD2007
 
文件大小: 181.77K
   
说明
 
介绍:
Dual N-CHANNEL POWER MOSFET
 
 


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图 10. 门槛 电压
图 9. 门 承担 vs. 门-源 电压图 8. 源-流 二极管 向前 电压
P
DM
t
1
t
2
图 7. Nomalized 有效的 瞬时 热的 阻抗, 接合面-至-amdient
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
0.01
0.1
1
单独的 脉冲波
0.05
职责 循环=0.5
0.2
0.1
0.02
@ 注释 :
1. r
θ
JA
(t)=62.5
o
c/w 最大值
2. 职责 因素, d=t
1
/t
2
3. t
JM
-t
一个
=P
DM
*Z
θ
JA
(t)
4. 表面 挂载
热的 阻抗
正方形的 波 脉冲波 持续时间 [sec]
0246810
0
5
10
V
DD
= 25 v
I
D
= 1.3a
V
GS
, 门-源 电压 [v]
Q
G
, 总的 门 承担 [nc]
0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4
10
0
10
1
10
2
T
J
=150
o
C
T
J
=25
o
C
I
DR
, 反转 流 电流 [a]
V
SD
, 源-流 电压 [v]
-50 0 50 100 150
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
I
D
= 250
µ
一个
V
gs(th)
, (normalized)
T
J
, 接合面 温度 [
o
C]
SSD2007A
双 n-频道
电源 场效应晶体管
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