4N36.SD_集成电路资料查询网

6/15/05
4N25 4N26 4N27 4N28 4N35 4N36
4N37 H11A1 H11A2 h11a3 h11a4 H11A5
一般 目的 6-管脚
phototransistor optocouplers
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© 2005 仙童 半导体 公司
绝对 最大 比率
(t
一个
= 25°c 除非 否则 speciﬁed)
参数 标识 值 单位
TOTal 设备
存储 温度
T
STG
-55 至 +150 °C
运行 温度
T
OPR
-55 至 +100 °C
Wave焊盘 温度 (看 页 14 为 reﬂow 焊盘 proﬁles)
T
SOL
260 为 10 秒 °C
总的 设备 电源 消耗 @ t
一个
= 25°c
减额 在之上 25°c
P
D
250
mW
3.3 (非-m), 2.94 (-m)
发射级
直流/平均 向前 输入 电流
I
F
100 (非-m), 60 (-m) 毫安
反转 输入 电压
V
R
6V
向前 电流 - 顶峰 (300µs, 2% 职责 循环)
I
F
(pk)
3A
led 电源 消耗 @ t
一个
= 25°c
减额 在之上 25°c
P
D
150 (非-m), 120 (-m) mW
2.0 (非-m), 1.41 (-m) mw/°c
探测器
集电级-发射级 电压
V
CEO
30 V
集电级-根基 电压
V
CBO
70 V
发射级-集电级 电压
V
ECO
7V
探测器 电源 消耗 @ t
一个
= 25°c
减额 在之上 25°c
P
D
150 mW
2.0 (非-m), 1.76 (-m) mw/°c

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6/15/05 4N25 4N26 4N27 4N28 4N35 4N36 4N37 H11A1 H11A2 h11a3 h11a4 H11A5 一般目的 6-管脚 phototransistor optocouplers 页 2 的 15 © 2005 仙童半导体公司绝对最大比率 (t 一个 = 25°c 除非否则 speciﬁed) 参数标识值单位 TOTal 设备存储温度 T STG -55 至 +150 °C 运行温度 T OPR -55 至 +100 °C Wave焊盘温度 (看页 14 为 reﬂow 焊盘 proﬁles) T SOL 260 为 10 秒 °C 总的设备电源消耗 @ t 一个 = 25°c 减额在之上 25°c P D 250 mW 3.3 (非-m), 2.94 (-m) 发射级直流/平均向前输入电流 I F 100 (非-m), 60 (-m) 毫安反转输入电压 V R 6V 向前电流 - 顶峰 (300µs, 2% 职责循环) I F (pk) 3A led 电源消耗 @ t 一个 = 25°c 减额在之上 25°c P D 150 (非-m), 120 (-m) mW 2.0 (非-m), 1.41 (-m) mw/°c 探测器集电级-发射级电压 V CEO 30 V 集电级-根基电压 V CBO 70 V 发射级-集电级电压 V ECO 7V 探测器电源消耗 @ t 一个 = 25°c 减额在之上 25°c P D 150 mW 2.0 (非-m), 1.76 (-m) mw/°c

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