4N36.SD_集成电路资料查询网

6/15/05
4N25 4N26 4N27 4N28 4N35 4N36
4N37 H11A1 H11A2 h11a3 h11a4 H11A5
一般 目的 6-管脚
phototransistor optocouplers
页 4 的 15
© 2005 仙童 半导体 公司
转移 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 speciﬁed.)
直流 典型的 测试 情况 标识 设备 最小值 Typ* 最大值 单位
电流 转移 比率,
集电级 至 发射级
(i
F
= 10 毫安, v
CE
= 10 v)
CTR
4N35
4N36
4N37
100
%
H11A1 50
H11A5 30
4N25
4N26
H11A2
H11A3
20
4N27
4N28
H11A4
10
(i
F
= 10 毫安, v
CE
= 10 v, t
一个
= -55°c)
4N35
4N36
4N37
40
(i
F
= 10 毫安, v
CE
= 10 v, t
一个
= +100°c)
4N35
4N36
4N37
40
集电级-发射级
饱和 电压
(i
C
= 2 毫安, i
F
= 50 毫安)
V
ce (sat)
4N25
4N26
4N27
4N28
0.5
V
(i
C
= 0.5 毫安, i
F
= 10 毫安)
4N35
4N36
4N37
0.3
H11A1
H11A2
H11A3
H11A4
H11A5
0.4
交流典型的
(i
F
= 10 毫安, v
CC
= 10 v, r
L
= 100
Ω
)
(图.20)
T
在
4N25
4N26
4N27
4N28
H11A1
H11A2
H11A3
H11A4
H11A5
2µs
非-saturated
Tur n-在 时间
非 saturated
Tur n-在 时间
(i
C
= 2 毫安, v
CC
= 10 v, r
L
= 100
Ω
)
(图.20)
T
在
4N35
4N36
4N37
210µs

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6/15/05 4N25 4N26 4N27 4N28 4N35 4N36 4N37 H11A1 H11A2 h11a3 h11a4 H11A5 一般目的 6-管脚 phototransistor optocouplers 页 4 的 15 © 2005 仙童半导体公司转移特性 (t 一个 = 25°c 除非否则 speciﬁed.) 直流典型的测试情况标识设备最小值 Typ* 最大值单位电流转移比率, 集电级至发射级 (i F = 10 毫安, v CE = 10 v) CTR 4N35 4N36 4N37 100 % H11A1 50 H11A5 30 4N25 4N26 H11A2 H11A3 20 4N27 4N28 H11A4 10 (i F = 10 毫安, v CE = 10 v, t 一个 = -55°c) 4N35 4N36 4N37 40 (i F = 10 毫安, v CE = 10 v, t 一个 = +100°c) 4N35 4N36 4N37 40 集电级-发射级饱和电压 (i C = 2 毫安, i F = 50 毫安) V ce (sat) 4N25 4N26 4N27 4N28 0.5 V (i C = 0.5 毫安, i F = 10 毫安) 4N35 4N36 4N37 0.3 H11A1 H11A2 H11A3 H11A4 H11A5 0.4 交流典型的 (i F = 10 毫安, v CC = 10 v, r L = 100 Ω ) (图.20) T 在 4N25 4N26 4N27 4N28 H11A1 H11A2 H11A3 H11A4 H11A5 2µs 非-saturated Tur n-在时间非 saturated Tur n-在时间 (i C = 2 毫安, v CC = 10 v, r L = 100 Ω ) (图.20) T 在 4N35 4N36 4N37 210µs

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