4N36.SD_集成电路资料查询网

6/15/05
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© 2005 仙童 半导体 公司
一般 目的 6-管脚
phototransistor optocouplers
4N25 4N26 4N27 4N28 4N35 4N36
4N37 H11A1 H11A2 h11a3 h11a4 H11A5
便条
* 典型 值 在 t
一个
= 25°c
电的 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 speciﬁed)
单独的 组件 特性
参数 测试 情况 标识 最小值 Typ* 最大值 单位
发射级
输入 向前 电压 (i
F
= 10 毫安) V
F
1.18 1.50 V
反转 泄漏 电流 (v
R
= 6.0 v) I
R
0.001 10 µA
探测器
集电级-发射级 损坏 电压 (i
C
= 1.0 毫安, i
F
= 0) BV
CEO
30 100 V
集电级-根基 损坏 电压 (i
C
= 100 µa, i
F
= 0) BV
CBO
70 120 V
发射级-集电级 损坏 电压 (i
E
= 100 µa, i
F
= 0) BV
ECO
710 V
集电级-发射级 dark 电流 (v
CE
= 10 v, i
F
= 0) I
CEO
1 50 na
集电级-根基 dark 电流 (v
CB
= 10 v) I
CBO
20 nA
电容 (v
CE
= 0 v, f = 1 mhz) C
CE
8pF
分开 特性
典型的 测试 情况 标识 最小值 Typ* 最大值 单位
输入-输出 分开 电压
(非 ‘-m’, 黑色 包装) (f = 60 hz, t = 1 min)
V
ISO
5300 vac(rms)
(‘-m’, 白 包装) (f = 60 hz, t = 1 sec) 7500 vac(pk)
分开 阻抗 (v
i-o
= 500 vdc) R
ISO
10
11
Ω
分开 电容
(v
i-o
= &放大;, f = 1 mhz)
C
ISO
0.5 pF
(‘-m’ 白 包装) 0.2 2 pF

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6/15/05 页 3 的 15 © 2005 仙童半导体公司一般目的 6-管脚 phototransistor optocouplers 4N25 4N26 4N27 4N28 4N35 4N36 4N37 H11A1 H11A2 h11a3 h11a4 H11A5 便条 * 典型值在 t 一个 = 25°c 电的特性 (t 一个 = 25°c 除非否则 speciﬁed) 单独的组件特性参数测试情况标识最小值 Typ* 最大值单位发射级输入向前电压 (i F = 10 毫安) V F 1.18 1.50 V 反转泄漏电流 (v R = 6.0 v) I R 0.001 10 µA 探测器集电级-发射级损坏电压 (i C = 1.0 毫安, i F = 0) BV CEO 30 100 V 集电级-根基损坏电压 (i C = 100 µa, i F = 0) BV CBO 70 120 V 发射级-集电级损坏电压 (i E = 100 µa, i F = 0) BV ECO 710 V 集电级-发射级 dark 电流 (v CE = 10 v, i F = 0) I CEO 1 50 na 集电级-根基 dark 电流 (v CB = 10 v) I CBO 20 nA 电容 (v CE = 0 v, f = 1 mhz) C CE 8pF 分开特性典型的测试情况标识最小值 Typ* 最大值单位输入-输出分开电压 (非 ‘-m’, 黑色包装) (f = 60 hz, t = 1 min) V ISO 5300 vac(rms) (‘-m’, 白包装) (f = 60 hz, t = 1 sec) 7500 vac(pk) 分开阻抗 (v i-o = 500 vdc) R ISO 10 11 Ω 分开电容 (v i-o = &放大;, f = 1 mhz) C ISO 0.5 pF (‘-m’ 白包装) 0.2 2 pF

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