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© 2003 仙童 半导体 公司
一般 目的 6-管脚
phototransistor optocouplers
TIL111 til111-m til117-m moc8100-m
便条
* 典型 值 在 t
一个
= 25°c 除非 否则 指出
电的 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 specified)
单独的 组件 特性
参数 测试 情况 设备 标识 最小值 Typ* 最大值 单位
发射级
输入 向前 电压 (i
F
= 16 毫安) (t
一个
= 25°c) til111/til111-m
V
F
1.2 1.4
V
(i
F
= 10 毫安; 为
moc8100-m)
(i
F
= 16 毫安; 为
til117-m)
(t
一个
= 0-70°c)
moc8100-m/
til117-m
1.2 1.4
(t
一个
= -55°c) 1.32
(t
一个
= +100°c) 1.10
反转 泄漏 电流
(v
R
= 3.0 v)
til111/til111-m/
til117-m
I
R
0.001 10 µA
(v
R
= 6.0v) moc8100-m 0.001 10 µA
探测器
集电级-发射级 损坏 电压 (i
C
= 1.0 毫安, i
F
= 0) 所有 BV
CEO
30 100 V
集电级-根基 损坏 电压 (i
C
= 10 µa, i
F
= 0) 所有 BV
CBO
70 120 V
发射级-根基 损坏 电压 (i
E
= 10 µa, i
F
= 0) 所有 BV
EBO
710 V
发射级-集电级 损坏 电压 (i
F
= 100µa, i
F
= 0)
til111-m
til117-m
BV
ECO
710 V
集电级-发射级 dark 电流
(v
CE
= 10 v, i
F
= 0)
til111/til111-m/
til117-m
I
CEO
1 50 na
(v
CE
= 5v, t
一个
= 25°c) moc8100-m I
CEO
0.5 25 nA
(v
CE
= 30 v, i
F
= 0, t
一个
= 70°c)
til117-m/
moc8100-m
I
CEO
0.2 50 µA
集电级-根基 dark 电流
(v
CB
= 10 v)
til111/til111-m/
til117-m
I
CBO
20 nA
(v
CB
= 5 v) moc8100-m I
CBO
10 nA
电容 (v
CE
= 0 v, f = 1 mhz) 所有 C
CE
8pF
分开 特性
典型的 测试 情况 标识 最小值 Typ* 最大值 单位
输入-输出 分开 电压
(非 ‘-m’, 黑色 包装) (f = 60 hz, t = 1 min)
V
ISO
5300 vac(rms)
(‘-m’, 白 包装) (f = 60 hz, t = 1 sec) 7500 vac(pk)
分开 阻抗 (v
i-o
= 500 vdc) R
ISO
10
11
Ω
分开 电容 (v
i-o
= 0, f = 1 mhz) C
ISO
2pF
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