6/30/03
一般 目的 6-管脚
phototransistor optocouplers
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© 2003 仙童 半导体 公司
TIL111 til111-m til117-m moc8100-m
* 典型 值 在 t
一个
= 25°c
转移 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 specified.)
直流 典型的 测试 情况 标识 设备 最小值 Typ* 最大值 单位
电流 转移 比率,
集电级 至 发射级
(i
F
= 10 毫安, v
CE
= 10 v)
CTR
CE
til117-m 50 %
(i
F
= 1 毫安, v
CE
= 5 v)
moc8100-m
50
%
(i
F
= 1 毫安, v
CE
= 5 v, t
一个
= 0 至 +70°c) 30
在-状态 集电级 电流
(phototransistor 运作)
(i
F
= 16 毫安, v
CE
= 0.4 v)
I
c(在)
TIL111
til111-m
2mA
在-状态 集电级 电流
(photodiode 运作)
(i
F
= 16 毫安, v
CB
= 0.4v) 7 µA
集电级-发射级 饱和
电压
(i
C
= 500 µa, i
F
= 10 毫安)
V
ce (sat)
til117-m 0.4
v(i
C
= 2 毫安, i
F
= 16 毫安)
TIL111
til111-m
0.4
(i
C
= 100 µa, i
F
= 1 毫安) moc8100-m 0.5
交流典型的
Tur n-在 时间
(i
C
= 2 毫安, v
CC
= 10 v,
R
L
= 100
Ω
) (图. 20)
T
在
moc8100-m 20
µs
til117-m 10
Tur n-止 时间 T
止
moc8100-m 20
µs
til117-m 10
上升 时间 t
r
moc8100-m
til117-m
2
µs
F所有 时间 t
f
2
上升 时间
(phototransistor 运作)
(i
c(在)
= 2 毫安, v
CC
= 10 v,
R
L
= 100
Ω
) (图. 20)
t
r
TIL111
til111-m
10 µs
F所有 时间
(phototransistor 运作)
t
f
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