6/30/03
一般 目的 6-管脚
phototransistor optocouplers
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© 2003 仙童 半导体 公司
TIL111 til111-m til117-m moc8100-m
图. 9 ctr vs. rbe (saturated)
(黑色 包装)
图. 10 ctr vs. rbe (saturated)
(白 包装)
R
是
- 根基 阻抗 (k
Ω)
R
是
- 根基 阻抗 (k
Ω)
normalized ctr ( ctr
RBE
/ ctr
rbe(打开)
)
normalized ctr ( ctr
RBE
/ ctr
rbe(打开)
)
10 100 1000
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
CE
= 0.3 v
I
F
= 5 毫安
I
F
= 10 毫安
I
F
= 20 毫安
10 100 1000
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
I
F
= 20 毫安
I
F
= 10 毫安
I
F
= 5 毫安
V
CE
= 0.3 v
图. 7 ctr vs. rbe (unsaturated)
(黑色 包装)
图. 8 ctr vs. rbe (unsaturated)
(白 包装)
R
是
- 根基 阻抗 (k
Ω)
R
是
- 根基 阻抗 (k
Ω)
normalized ctr ( ctr
RBE
/ ctr
rbe(打开)
)
normalized ctr ( ctr
RBE
/ ctr
rbe(打开)
)
10 100 1000
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
I
F
= 20 毫安
I
F
= 10 毫安
I
F
= 5 毫安
V
CE
= 5.0 v
10 100 1000
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
CE
= 5.0 v
I
F
= 20 毫安
I
F
= 10 毫安
I
F
= 5 毫安
0.01 0.1 1 10
0.001
0.01
0.1
1
10
100
I
F
= 5 毫安
I
F
= 20 毫安
I
F
= 10 毫安
图. 12 集电级-发射级 饱和 电压 vs 集电级 电流
(白 包装)
I
C
- 集电级 电流 (毫安)
V
ce (sat)
- 集电级-发射级 饱和 电压 (v)
I
F
= 2.5 毫安
T
一个
= 25
˚C
图. 11 集电级-发射级 饱和 电压 vs 集电级 电流
(黑色 包装)
I
C
- 集电级 电流 (毫安)
V
ce (sat)
- 集电级-发射级 饱和 电压 (v)
0.01 0.1 1 10
0.001
0.01
0.1
1
10
100
I
F
= 2.5 毫安
T
一个
= 25
˚C
I
F
= 20 毫安
I
F
= 10 毫安
I
F
= 5 毫安