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资料编号:652794
 
资料名称:TLP206G
 
文件大小: 162.13K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA Photocoupler GaAs Ired & Photo−MOS FET
 
 


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TLP206G
2002-09-25
2
最大 比率
(ta = 25°c)
典型的 标识 比率 单位
向前 电流 I
F
50 毫安
向前 电流 减额 (ta
25°c)
I
F
/ °c
0.5 毫安 / °c
脉冲波 向前 电流 (100µs 脉冲波, 100pps) I
FP
1 一个
反转 电压 V
R
5 v
LED
接合面 温度 T
j
125 °c
状态 输出 终端 电压 V
350 v
两个都 频道 (便条 1) 100
状态 电流
一个 频道
I
120
毫安
两个都 频道 (便条 1)
1.0
状态 rms 电流
减额(ta
25°c)
一个 频道
I
/ °c
1.2
毫安 / °c
探测器
接合面 温度 T
j
125 °c
存储 温度 范围 T
stg
55~125 °c
运行 温度 范围 T
opr
40~85 °c
含铅的 焊接 温度 (10 s) T
sol
260 °c
分开 电压 (交流, 1 最小值., r.h.
60%) (便条 2) BV
S
1500
V
rms
(便条 1): 二 途径 运行 同时发生地.
(便条 2): 设备 考虑 一个 二
终端 设备: pins1,2,3 和 4 短接
一起 和 管脚 5,6,7 和 8 短接 一起.
推荐 运行 情况
典型的 标识 最小值 典型值 最大值 单位
供应 电压 V
DD
280 V
向前 电流 I
F
5 7.5 25 毫安
状态 电流 I
100 毫安
运行 温度 T
opr
20
65 °c
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