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资料编号:652794
 
资料名称:TLP206G
 
文件大小: 162.13K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA Photocoupler GaAs Ired & Photo−MOS FET
 
 


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TLP206G
2002-09-25
5
I
FT
– ta
相关的 触发 led 电流
I
FT
/ i
FT
(ta = 25°c)
包围的 温度 ta (°c)
5
0
40
4
3
2
1
20
0
20
40 60 10080
I
= 120ma
I
– v
场效应晶体管 在-状态 电压 v
(v)
场效应晶体管 在-状态 电流 I
(毫安)
150
150
2.5
100
50
0
50
100
1.5
0.5
1.5 2.5
ta = 25°c
I
F
= 5ma
I
– ta
包围的 温度 ta (°c)
场效应晶体管 止-状态 电流 I
(毫安)
1000
1
20
300
100
10
5
0 20
40 60
80 100
500
50
30
3
V
= 350v
转变-止 时间 t
(ms)
包围的 温度 ta (°c)
40
0
40
20
10
20
0
20
40 60 10080
R
– ta
场效应晶体管 在-状态 阻抗 R
(
)
30
I
= 120ma
I
F
= 5ma
t
– ta
包围的 温度 ta (°c)
转变-在 时间 t
(ms)
1000
0
40
20
0
20
60 80
100
800
600
200
V
DD
= 20v
R
L
= 200
I
F
= 5
一个
40
400
t
– ta
包围的 温度 ta (°c)
400
0
40
20
0
20
60 80
100
300
200
100
40
V
DD
= 20v
R
L
= 200
I
F
= 5
一个
0.5
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