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资料编号:652794
资料名称:
TLP206G
文件大小: 162.13K
说明
:
介绍
:
TOSHIBA Photocoupler GaAs Ired & Photo−MOS FET
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
TLP206G
2002-09-25
4
60
I
F
– ta
包围的 温度 ta (°c)
容许的 向前 电流
I
F
(毫安)
100
0
-
20
0
20
40
60
80
100
80
40
20
120
-
20
0
20
40 60
80
100
I
在
– ta
包围的 温度 ta (°c)
容许的 场效应晶体管 在-状态 电流
I
在(rms)
(毫安)
140
0
100
80
120
60
40
20
I
FP
– d
R
职责 循环 比率 d
R
容许的 脉冲波 向前 电流
I
FP
(毫安)
5000
10
3
30
500
300
100
10
-
3
3
3
3
10
-
2
10
-
1
10
0
3000
1000
50
脉冲波 宽度
≤
100µs
Ta
=
2
5
°
C
I
F
–V
F
向前 电压 v
F
(v)
向前 电流 i
F
(毫安)
100
0.1
10
3
0.3
1
30
0.6
1.0
1.2
1.6
1.8
0.8
1.4
0.5
5
50
ta = 25°c
∆
V
F
/
∆
Ta
–
I
F
向前 电流
I
F
(毫安)
向前 电压 温度
系数
∆
V
F
/
∆
Ta
(
m
V
/
°
C
)
-
0.4
0.1
0.3 1
3 5
10 50
-
2.4
-
1.6
-
1.2
0.5
-
0.8
-
2.0
-
2.8
30
I
FP
– v
FP
脉冲波 向前 电压
V
FP
(v)
脉冲波 向前 电流
I
FP
(毫安)
1000
0
0.6
1.0 1.4
2.2 2.6
3.0
300
50
10
5
1.8
500
100
30
3
脉冲波 宽度
≤
10µs
repetitive 频率 = 100hz
Ta
=
2
5
°
C
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