tp0101t/ts
vishay siliconix
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11-2
文档 号码: 70229
s-04279
—
rev. d, 16-jul-01
限制
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的
流-源 损坏 电压 V
(br)dss
V
GS
= 0 v, i
D
=
–
10
一个
–
20
–
26
门-门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
=
–
50
一个
–
0.5
–
0.9
–
1.5
V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
8 v
100 nA
V
DS
=
–
9.6 v, v
GS
= 0 v
–
1
零 门 电压 流 电流 I
DSS
T
J
= 55
C
–
10
一个
V
DS
–
5 v, v
GS
=
–
4.5 v
–
2.5
在-状态 流 电流
一个
I
d(在)
V
DS
–
5 v, v
GS
=
–
2.5 v
–
0.5
一个
V
GS
=
–
4.5 v, i
D
=
–
0.6 一个 0.45 0.65
流-源 在-阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
=
–
2.5 v, i
D
=
–
0.5 一个 0.69 0.85
向前 跨导
一个
g
fs
V
DS
=
–
5 v, i
D
=
–
0.6 一个 1300 mS
二极管 向前 电压
一个
V
SD
I
S
=
–
0.6 一个, v
GS
= 0 v
–
0.9
–
1.2 V
动态
总的 门 承担 Q
g
2020 3000
门-源 承担 Q
gs
V
DS
=
–
6 v, v
GS
=
–
4.5 v
I
D
–
0.6 一个
180
pC
门-流 承担 Q
gd
I
D
–
0.6 一个
720
输入 电容 C
iss
110
输出 电容 C
oss
V
DS
=
–
6 v, v
GS
= 0, f = 1 mhz
80
pF
反转 转移 电容 C
rss
30
切换
t
d(在)
7 12
转变-在 时间
t
r
V
DD
=
–
6 v, r
L
= 12
25 35
t
d(止)
I
D
–
0.6 一个, v
GEN
=
–
4.5 v
R
G
= 6
19 30
ns
转变-止 时间
t
f
9 15
注释
一个. 脉冲波 测试: pw
300
s 职责 循环
2%. VPLJ01