tp0101t/ts
vishay siliconix
文档 号码: 70229
s-04279
—
rev. d, 16-jul-01
www.vishay.com
11-3
–– ––
在-阻抗 vs. 流 电流
输出 特性 转移 特性
V
DS
–
流-至-源 电压 (v) V
GS
–
门-至-源 电压 (v)
0
1
2
3
4
5
6
01234
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
25
C
T
一个
=
–
55
C
125
C
–
2.5 v
–
3 v
V
GS
=
–
5 v
–
1.5 v
–
2 v
0
50
100
150
200
250
300
350
036912
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
1.7
–
50 0 50 100 150
0
1
2
3
4
5
6
7
0 600 1200 1800 2400 3000
0
1
2
3
4
012345
门 承担
Q
g
–
总的 门 承担 (pc)
V
DS
–
流-至-源 电压 (v)
C
oss
C
rss
C
iss
V
DS
=
–
6 v
I
D
=
–
0.5 一个
I
D
–
流 电流 (一个)
电容
在-阻抗 vs. 接合面 温度
V
GS
=
–
4.5 v
I
D
=
–
0.5 一个
T
J
–
接合面 温度 (
c)
V
GS
=
–
2.5 v
V
GS
=
–
4.5 v
–
0.5, 1 v
–
3.5 v
–
4 v
–
4.5 v
I
D
–
流 电流 (一个)
I
D
–
流 电流 (一个)
C
–
电容 (pf)
r
ds(在)
–
流-源 在-阻抗 (
Ω )
V
GS
–
门-至-源 电压 (v)
r
ds(在)
–
在-阻抗 (
Ω )
(
normalized)
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
––––––
–
–
–
–
–
–– –– –
V
GS
= 0
f = 1 mhz
–– ––
–
–
–
–
–
–
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