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资料编号:656497
 
资料名称:TP0101T
 
文件大小: 35.99K
   
说明
 
介绍:
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
 
 


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tp0101t/ts
vishay siliconix
www.vishay.com
11-4
文档 号码: 70229
s-04279
rev. d, 16-jul-01



0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
0.16
0.06
0.04
0.14
0.24
0.34
50 0 50 100 150
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
012345
源-流 二极管 向前 电压 在-阻抗 vs. 门-至-源 电压
门槛 电压 单独的 脉冲波 电源
normalized 热的 瞬时 阻抗, 接合面-至-包围的
正方形的 波 脉冲波 持续时间 (秒)
2
1
0.1
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
normalized 有效的 瞬时
热的 阻抗
30
V
SD
源-至-流 电压 (v) V
GS
门-至-源 电压 (v)
T
J
接合面 温度 (
c)
时间 (秒)
0.2
0.1
0.05
0.02
单独的 脉冲波
职责 循环 = 0.5
I
D
=
50
一个
I
D
=
0.5 一个
10
1
0.1
0.01
0.001 0.01
0.1 1 100
10
10
T
J
= 50
C
T
J
= 25
C
T
一个
= 25
C
单独的 脉冲波
8
6
4
2
0
10
I
S
源 电流 (一个)
r
ds(在)
在-阻抗 (
Ω )
V
gs(th)
variance (v)
––––– –––––
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