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资料编号:656642
 
资料名称:TP2535
 
文件大小: 481.01K
   
说明
 
介绍:
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
 
 


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11/12/01
supertex 公司 做 不 推荐 这 使用 的 它的 产品 在 生命 支持 产品 和 将 不 knowingly 卖 它的 产品 为 使用 在 此类 产品 除非 它 receives 一个 足够的 "产品 责任
indemnification insurance agreement." supertex 做 不 假设 责任 为 使用 的 设备 描述 和 限制 它的 责任 至 这 替换 的 设备 决定 至 是 有缺陷的 预定的 至
workmanship. 非 责任 是 assumed 为 可能 省略 或者 不精确. 电路系统 和 规格 是 主题 至 改变 没有 注意. 为 这 最新的 产品 规格, 谈及 至 这
supertex 网站: http://www.supertex.com. 为 完全 责任 信息 在 所有 supertex 产品, 谈及 至 这 大多数 电流 数据手册 或者 至 这 legal/免责声明 页 在 这 supertex website.
BV
DSS
/r
ds(在)
V
gs(th)
I
d(在)
BV
DGS
(最大值) (最大值) (最小值) 至-92 至-243aa* 消逝
-350v 25
-2.4v -0.4a TP2535N3
-400v 25
-2.4v -0.4a TP2540N3 TP2540N8 TP2540ND
*
一样 作 sot-89. 产品 有提供的 在 2000 片 运输车 录音带 reels.
mil visual 放映 有.
订货 信息
TP2535
TP2540
低 门槛
包装 选项
特性
低 门槛 — -2.4v 最大值
高 输入 阻抗
低 输入 电容 — 125pf 最大值
自由 从 secondary 损坏
低 输入 和 输出 泄漏
complementary n- 和 p-频道 设备
低 门槛 dmos 技术
这些 低 门槛 增强-模式 (正常情况下-止) transis-
tors utilize 一个 vertical dmos 结构 和 supertex's 好-proven
硅-门 制造 处理. 这个 结合体 生产
设备 和 这 电源 处理 能力 的 双极 晶体管
和 和 这 高 输入 阻抗 和 积极的 温度
系数 固有的 在 mos 设备. 典型的 的 所有 mos
结构, 这些 设备 是 自由 从 热的 runaway 和
thermally-induced secondary 损坏.
supertex’s vertical dmos fets 是 ideally suited 至 一个 宽 范围
的 切换 和 amplifying 产品 在哪里 非常 低 门槛
电压, 高 损坏 电压, 高 输入 阻抗, 低 输入
电容, 和 快 切换 speeds 是 desired.
顺序 号码 / 包装
p-频道 增强-模式
Vertical dmos fets
产品
逻辑 水平的 接口 – 完美的 为 ttl 和 cmos
固体的 状态 接转
电池 运作 系统
photo voltaic 驱动
相似物 switches
一般 目的 线条 驱动器
电信 switches
绝对 最大 比率
流-至-源 电压 BV
DSS
流-至-门 电压 BV
DGS
门-至-源 电压
±
20V
°
c 至 +150
°
C
焊接 temperature* 300
°
C
*
距离 的 1.6 mm 从 情况 为 10 秒.
便条: 看 包装 外形 部分 为 维度.
至-243aa
(sot-89)
G
D
S
D
s g d
至-92
产品 标记 为 至-243aa
在哪里
= 2-week alpha 日期 代号
TP5D
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