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资料编号:656642
 
资料名称:TP2535
 
文件大小: 481.01K
   
说明
 
介绍:
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
 
 


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4
1235 bordeaux 驱动, sunnyvale, ca 94089
电话: (408) 744-0100 • 传真: (408) 222-4895
www.supertex.com
11/12/01
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tp2535/tp2540
门 驱动 动态 特性
Q (nanocoulombs)
G
V
GS
(伏特)
T
j
gs(th)
V (normalized)
ds(在)
R (normalized)
V
ds(th)
R 变化 和 温度
c)
°
(
在-阻抗 vs. 流 电流
(amperes)
D
(ohms)
ds(在)
R
变化 和 温度
DSS
DSS
BV (normalized)
c)
°
(t
j
转移 特性
V
GS
(伏特)
I
(amperes)
D
电容 vs. 流-至-源 电压
200
c (picofarads)
V
DS
(伏特)
I
BV
0 -10 -20 -30 -40
150
100
0
0-2-4-6-8-10
-2
-1.6
-1.2
-0.8
-0.4
0
-50 0 50 100 150
1.1
1.0
100
80
60
40
20
0
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
-10
-8
-6
-4
-2
0 0.4 0.8
1.2
1.6 2.0
-50 0 50 100 150
60pF
V
DS
= - 40v
V
DS
= - 10v
V
GS
= -4.5v
V
GS
= -10v
T
= -55
°
C
一个
V
DS
= - 25v
125
°
C
0 -0.4 -0.8 -1.2 -2.0-1.6
f = 1mhz
C
ISS
C
OSS
0.9
190 pf
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
(th)
v @ -1ma
25
°
C
50
0
C
RSS
R
ds(在)
@ -10v, -0.1a
Typical 效能 曲线
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