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资料编号:656642
 
资料名称:TP2535
 
文件大小: 481.01K
   
说明
 
介绍:
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
 
 


: 点此下载
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tp2535/tp2540
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
BV
DSS
TP2540 -400
TP2535 -350
V
gs(th)
门 门槛 电压 -1.0 -2.4 V V
GS
= v
DS
, i
D
= -1ma
V
gs(th)
改变 在 v
gs(th)
和 温度 4.8 mv/
°
CV
GS
= v
DS
, i
D
= -1ma
I
GSS
门 身体 泄漏 -100 nA V
GS
=
±
20v, v
DS
= 0v
I
DSS
零 门 电压 流 电流 -10
µ
AV
GS
= 0v, v
DS
= 最大值 比率
V
GS
= 0v, v
DS
= 0.8 最大值 比率
T
一个
= 125
°
C
I
d(在)
在-状态 流 电流 -0.2 -0.3
一个
V
GS
= -4.5v, v
DS
= -25v
-0.4 -1.1 V
GS
= -10v, v
DS
= -25v
R
ds(在)
静态的 流-至-源 20 30
V
GS
= -4.5v, i
D
= -100ma
在-状态 阻抗 19 25 V
GS
= -10v, i
D
= -100ma
R
ds(在)
改变 在 r
ds(在)
和 温度 0.75 %/
°
CV
GS
= -10v, i
D
= -100ma
G
FS
向前 跨导 100 175 m V
DS
= -25v, i
D
= -100ma
C
ISS
输入 电容 60 125
C
OSS
一般 源 输出 电容 20 70 pF
C
RSS
反转 转移 电容 10 25
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 10
t
r
上升 时间 10
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 20
t
f
下降 时间 13
V
SD
二极管 向前 电压 漏出 -1.8 V V
GS
= 0v, i
SD
= -100ma
t
rr
反转 恢复 时间 300 ns V
GS
= 0v, i
SD
= -100ma
注释:
1. 所有 d.c. 参数 100% 测试 在 25
°
c 除非 否则 陈述. (脉冲波 测试: 300
µ
s 脉冲波, 2% 职责 循环.)
2. 所有 一个.c. 参数 样本 测试.
热的 特性
VV
GS
= 0v, i
D
= -2ma
-1.0 毫安
电的 特性
(@ 25
°
c 除非 否则 指定)
ns
V
GS
= 0v, v
DS
= -25v
f = 1 mhz
V
DD
= -25v
I
D
= -0.4a
R
GEN
= 25
切换 波形 和 测试 电路
包装 I
D
(持续的)* I
D
(搏动) 电源 消耗
θ
jc
θ
ja
I
DR
*I
DRM
@ t
一个
= 25
°
C
°
c/w
°
c/w
至-92 -86ma -0.6a 0.74w 125 170 -86ma -0.6a
至-243aa -125ma -1.2a 1.6w
15 78
-125ma -1.2a
*
I
D
(持续的) 是 限制 用 最大值 评估 t
j
.
挂载 在 fr5 板, 25mm x 25mm x 1.57mm. signficant p
D
增加 可能 在 陶瓷的 基质.
流-至-源
损坏 电压
90%
10%
90%
90%
10%
10%
脉冲波
发生器
V
DD
R
L
输出
d.u.t.
t
(在)
t
d(在)
t
(止)
t
d(止)
t
F
t
r
输入
输入
输出
0V
V
DD
R
gen
0V
-10v
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