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资料编号：657170
 
资料名称：TPC8403
 
文件大小： 309.97K
   
说明：
 
介绍:
Field Effect Transistor Silicon P/N Channel MOS Type (P Channel U-MOSII/N Channel U-MOSII)
 
 


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8
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11 		 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
TPC8403
2004-07-06
9
n-频道
0
0
10
20
30
40
8 16 24 32
16
12
8
4
0
V
DD
=
24 v
一般 源
I
D
=
6 一个
Ta
=
25°C
脉冲波 测试
V
GS
0
−
80 0 160 80
1
2
3
一般 源
V
DS
=
10 v
I
D
=
1 毫安
脉冲波 测试
−
40 40 120
1
0.1 1 10 100
10
100
1000
10000
一般 源
Ta
=
25°C
f
=
1MHz
V
GS
=
0 v
C
iss
C
oss
C
rss
0.3 3 30
0
−
80
50
30
10
0
−
40
40 80 120 160
60
40
20
一般 源
脉冲波 测试
V
GS
=
4.5 v
6 一个
V
GS
=
10 v
I
D
=
1.5 一个
3 一个
6 一个
I
D
=
1.5 一个
3 一个
R
ds (在)
– ta
I
DR
– v
DS
电容 – v
DS
V
th
– ta
P
D
– ta
门-源 电压 v
GS
(v)
动态 输入/输出 特性
流 电源 消耗 P
D
(w)
门 门槛 电压 V
th
(v)
包围的 温度 ta (°c)
流-源 在 阻抗
R
ds (在)
(m
Ω
)
流-源 电压 V
DS
(v)
流 反转 电流 I
DR
(一个)
流-源 电压 V
DS
(v)
电容 c (pf)
包围的 温度 ta (°c)
包围的 温度 ta (°c)
总的 门 承担 Q
g
(nc)
流-源 电压 V
DS
(v)
0.1
0
−
0.2
−
0.4
−
0.6
−
0.8
−
1.2
0.3
0.5
1
10
3
5
−
1.0
30
一般 源
Ta
=
25°C
脉冲波 测试
10
5
3
1
V
GS
=
0 v
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
40 80 200160 120
设备 挂载 在 一个 glass-环氧的 板 (
一个)
(便条 2a)
(1) 单独的-设备 运作 (便条 3a)
(2) 单独的-设备 值 在 双
运作 (便条 3b)
设备 挂载 在 一个 glass-环氧的 板
(b) (便条 2b)
(3) 单独的-设备 运作 (便条 3a)
(4) 单独的-设备 值 在 双
运作 (便条 3b)
t
=
10 s
(1)
(2)
(3)
(4)
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