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资料编号：657170
 
资料名称：TPC8403
 
文件大小： 309.97K
   
说明：
 
介绍:
Field Effect Transistor Silicon P/N Channel MOS Type (P Channel U-MOSII/N Channel U-MOSII)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
TPC8403
2004-07-06
5
p-频道
0.1
−
0.1
1
10
100
−
1
−
10
−
100
一般 源
V
DS
=
−
10 v
Ta
=
−
55°C
25°C
Ta
=
100°C
0.3
0.5
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一般 源
Ta
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25°C
脉冲波 测试
V
GS
=
−
4.5 v
V
GS
=
−
10 v
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2
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6
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1
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14
Ta
=
100ºC
−
55ºC
25ºC
一般 源
V
DS
=
−
10 v
脉冲波 测试
0
0
−
2
−
4
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6
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8
−
10
−
0.1
−
0.3
−
0.5
−
0.6
−
12
−
0.2
−
0.4
一般 源
Ta
=
25°C
脉冲波 测试
−
2.2 一个
I
D
=
−
4.5 一个
−
1.3a
0
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1
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2
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10
V
GS
=
−
2.2 v
−
2.4 v
−
2.6 v
−
2.8 v
−
3 v
−
3.2 v
−
4 v
−
3.6 v
−
10 v
−
8 v
一般 源
Ta
=
25°C
脉冲波 测试
−
3.4 v
−
6 v
一般 源
Ta
=
25°C
脉冲波 测试
0
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0.2
−
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−
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0.8
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1.0
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1
−
2
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3
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4
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5
V
GS
=
−
2.2 v
−
2.4 v
−
2.6 v
−
2.8 v
−
3 v
−
3.2 v
−
4 v
−
6 v
−
10 v
−
8 v
I
D
– v
DS
I
D
– v
DS
I
D
– v
GS
V
DS
– v
GS
|Y
fs
| – i
D
R
ds (在)
– i
D
向前 转移 admittance
⎪
Y
fs
⎪
(s)
流-源 电压 v
DS
(v)
流-源 电压 V
DS
(v)
流 电流 i
D
(一个)
流-源 电压 V
DS
(v)
流 电流 I
D
(一个)
门-源 电压 v
GS
(v)
流 电流 I
D
(一个)
门-源 电压 v
GS
(v)
流 电流 i
D
(一个)
流 电流 i
D
(一个)
流-源 在 阻抗
R
ds (在)
(m
Ω
)
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