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资料编号:657170
 
资料名称:TPC8403
 
文件大小: 309.97K
   
说明
 
介绍:
Field Effect Transistor Silicon P/N Channel MOS Type (P Channel U-MOSII/N Channel U-MOSII)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
TPC8403
2004-07-06
1
toshiba 地方 效应 晶体管 硅 p/n 频道 mos 类型
(p 频道 u-mosii/n 频道 u-mosii)
TPC8403
发动机 驱动 产品
notebook pc 产品
可携带的 设备 产品
低 流-源 在 阻抗: p 频道 r
ds (在)
= 45 m
(典型值.)
ds (在)
= 25 m
(典型值.)
高 向前 转移 admittance: p 频道 |y
fs
| = 6.2 s (典型值.)
fs
| = 7.8 s (典型值.)
低 泄漏 电流: p 频道 i
DSS
=
10 µa (v
DS
=
30 v)
DSS
= 10 µa (v
DS
= 30 v)
增强 模式
: p 频道 v
th
=
1.0~
2.2 v (v
DS
=
10 v, i
D
=
1 毫安)
: n 频道 v
th
= 1.3~2.5 v (v
DS
= 10 v, i
D
= 1 毫安)
最大 比率
(ta
=
25°c)
比率
特性 标识
p 频道 n 频道
单位
流-源 电压 V
DSS
30 30 v
流-门 电压 (r
GS
=
20 k
) v
DGR
30 30 v
门-源 电压 V
GSS
±
20
±
20 v
直流 (便条 1) i
D
4.5 6
流 电流
脉冲波 (便条 1) i
DP
18 24
一个
单独的-设备 运作
(便条 3a)
P
d(1)
1.5 1.5
流 电源
消耗
(t
=
10s)
(便条 2a)
单独的-设备 值 在
双 运作
(便条 3b)
P
d(2)
1.1 1.1
单独的-设备 运作
(便条 3a)
P
d(1)
0.75 0.75
流 电源
消耗
(t
=
10s)
(便条 2b)
单独的-设备 值 在
双 运作
(便条 3b)
P
d(2)
0.45 0.45
W
单独的 脉冲波 avalanche 活力 E
26.3
(便条 4a)
46.8
(便条 4b)
mJ
avalanche 电流 I
AR
4.5 6 一个
repetitive avalanche 活力
单独的-设备 值 在 运作
(便条 2a, 3b, 5)
E
AR
0.11 mJ
频道 温度 T
ch
150 °C
存储 温度 范围 T
stg
55~150 °c
便条 1, 便条 2ab, 便条 3ab, 便条 4and 便条 5: 看 这 next page.
这个 晶体管 是 一个 静电的-敏感的 设备. 请 handle 和 提醒.
单位: mm
电子元件工业联合会
JEITA
toshiba 2-6j1e
重量: 0.080 g (典型值.)
电路 配置
8 7 6 5
1 2
3 4
n-ch p-ch
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