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资料编号:657210
 
资料名称:TPC8206
 
文件大小: 223.24K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSII)
 
 


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TPC8206
2003-02-18
3
电的 特性
(ta

25°c)
特性 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
门 泄漏 电流 I
GSS
V
GS
16 v, v
DS
0 v
10
一个
流 截-止 电流 I
DSS
V
DS
60 v, v
GS
0 v

10
一个
V
(br) dss
I
D
10 毫安, v
GS
0 v
60
流-源 损坏 电压
V
(br) dsx
I
D
10 毫安, v
GS
12 v 35
V
门 门槛 电压 V
th
V
DS
10 v, i
D
1 毫安 1.3
2.5 V
V
GS
4 v, i
D
2.5 一个
55 75
流-源 在 阻抗 R
ds (在)
V
GS
10 v, i
D
2.5 一个

40 50
m
向前 转移 admittance |Y
fs
| v
DS
10 v, i
D
2.5 一个
3.5 7.0
S
输入 电容 C
iss
800
反转 转移 电容 C
rss
60
输出 电容 C
oss
V
DS
10 v, v
GS
0 v, f
1 mhz
190
pF
上升 时间 t
r
2.6
转变-在 时间 t
10
下降 时间 t
f
2.3
切换 时间
转变-止 时间 t
职责
1%, t
w
10
s
22
ns
总的 门 承担
(门-源 加 门-流)
Q
g
17
门-源 承担 Q
gs
12
门-流 (“miller”) 承担 Q
gd
V
DD
48 v, v
GS
10 v, i
D
5 一个
5
nC
源-流 比率 和 特性
(ta

25°c)
特性 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
流 反转 电流 脉冲波 (便条 1) I
DRP

20 一个
向前 电压 (二极管) V
DSF
I
DR
5 一个, v
GS
0 v

1.2 V
R
L
12
V
DD
30 v
0 v
V
GS
10 v
4.7
I
D
2.5 一个
V
输出
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