TPC8206
2003-02-18
5
R
ds (在)
– ta
I
DR
– v
DS
电容 – v
DS
V
th
– ta
P
D
– ta
动态 输入/输出 特性
流 电源 消耗 P
D
(w)
门 门槛 电压 V
th
(v)
包围的 温度 ta (°c)
流-源 在 阻抗
R
ds (在)
(m
)
流-源 电压 V
DS
(v)
流-源 电压 V
DS
(v)
电容 c (pf)
包围的 温度 ta (°c)
包围的 温度 ta (°c)
流-源 电压 V
DS
(v)
门-源 电压 v
GS
(v)
总的 门 承担 q
g
(nc)
流 反转 电流 I
DR
(一个)
0
80
40 0 40 80 120
20
40
60
80
100
120
160
一般 源
脉冲波 测试
V
GS
4 v
10
I
D
5 一个
2.5
1.3
I
D
5 一个
2.5
1.3
0.40
0.8
1.2
1.6
0.1
1
10
100
一般 源
Ta
25°C
脉冲波 测试
V
GS
0,
1 v
5
1
10
3
10
0.1 1 10 100
100
1000
5000
C
oss
3000
300
500
30
50
一般 源
V
GS
0 v
Tc
25°C
f
1 mhz
C
iss
C
rss
3
0
80
40 0 40 120 160 80
1
2
4
5
一般 源
V
DS
10 v
I
D
1 毫安
脉冲波 测试
(2)
0 50 100 150 200
0
0.4
1.2
1.6
2.0
0.8
(4)
设备 挂载 在 一个 glass-环氧的 板 (一个)
(便条 2a)
(1) 单独的-设备 运作 (便条 3a)
(2) 单独的-设备 值 在 双 运作
(便条 3b)
设备 挂载 在 一个 glass-环氧的 板 (b)
(便条 2b)
(3) 单独的-设备 运作 (便条 3a)
(4) 单独的-设备 值 在 双
运作 (便条 3b)
t
10 s
(1)
(3)
30
0
0 5 10
15 25 30 20
10
20
40
50
一般 源
I
D
5 一个
Ta
25°C
脉冲波 测试
V
GS
V
DD
48 v
V
DS
12
24
12
24
V
DD
48 v
15
5
10
20
25
0
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