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资料编号:657210
资料名称:
TPC8206
文件大小: 223.24K
说明
:
介绍
:
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSII)
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
TPC8206
2003-02-18
4
I
D
– v
DS
I
D
– v
DS
I
D
– v
GS
V
DS
– v
GS
|Y
fs
| – i
D
R
ds (在)
– i
D
向前 转移 admittance
Y
fs
(s)
流-源 电压
V
DS
(v)
流-源 电压
V
DS
(v)
流 电流
I
D
(一个)
流-源 电压
V
DS
(v)
流 电流
I
D
(一个)
门-源 电压 v
GS
(v)
流 电流
I
D
(一个)
门-源 电压 v
GS
(v)
流 电流
I
D
(一个)
流 电流
I
D
(一个)
流-源 在 阻抗
R
ds (在)
(m
)
V
GS
2.5 v
0 0.2 0.4 0.6
一般 源
Ta
25°C
脉冲波 测试
2.75
0.8 1
0
2
4
6
8
10
3.0
3.25
5
4
6
10
8
3.5
3.75
0
4
8
12
16
20
0123 4 5
V
GS
2.5 v
10
8
4
一般 源
Ta
25°C
脉冲波 测试
3.0
2.75
3.25
3.5
5
3.75
6
0
0 1 2 3 4 5
4
8
12
16
20
一般 源
V
DS
10 v
脉冲波 测试
Ta
55°C
100
25
0
0 2 4 6 8 10
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
12
一般 源
Ta
25°C
脉冲波 测试
I
D
5 一个
2.5
1.3
0.1 0.3
1
3
10
30
3
10
30
100
300
500
50
5
一般 源
Ta
25°C
脉冲波 测试
V
GS
4 v
10
0.1 0.3
1
3
10
30
0.3
1
3
10
30
50
5
0.5
一般 源
V
DS
10 v
脉冲波 测试
100
25
Ta
55°C
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