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手机版
资料编号:657217
资料名称:
TPCS8209
文件大小: 362.44K
说明
:
介绍
:
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII)
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
TPCS8209
2002-01-17
4
I
D
– v
DS
I
D
– v
DS
I
D
– v
GS
V
DS
– v
GS
|Y
fs
| – i
D
R
ds (在)
– i
D
一般 源
Ta
=
25°C
脉冲波 测试
0
0
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
1
2
3
4
5
V
GS
=
1.4 v
1.5
1.6
1.7
1.8
4
3
2
1.9
向前 转移 admittance
Y
fs
(s)
流-源 电压 v
DS
(v)
流-源 电压 v
DS
(v)
流 电流
I
D
(一个)
流-源 电压 v
DS
(v)
流 电流
I
D
(一个)
门-源 电压
V
GS
(v)
流 电流
I
D
(一个)
门-源 电压
V
GS
(v)
流 电流
I
D
(一个)
流 电流
I
D
(一个)
流-源 在 阻抗
R
ds (在)
(m
Ω
)
0
0 1 2 3 4 5
2
4
6
8
10
一般 源
V
DS
=
10 v
脉冲波 测试
Ta
=
−
55°C
25 100
一般 源
Ta
=
25°C
脉冲波 测试
0
0 2 4 6 8 10
0.4
0.8
1.2
1.6
2
I
D
=
10 一个
5
2.5
1.25
1
0.1
1
10
10
100
一般 源
V
DS
=
10 v
脉冲波 测试
Ta
=
−
55°C
100
25
3
5
30
50
1
0.1
1
10
10
100
一般 源
Ta
=
25°C
脉冲波 测试
V
GS
=
2 v
2.5
4
3
5
30
50
0
2
4
6
8
10
V
GS
=
1.4 v
1.6
1.7
1.9
2
0 1 2 3
一般 源
Ta
=
25°C
脉冲波 测试
4
1.8
1.5
3
4 5
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