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资料编号:657217
 
资料名称:TPCS8209
 
文件大小: 362.44K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII)
 
 


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TPCS8209
2002-01-17
6
流-源 电压 v
DS
(v)
流 电流 I
D
(一个)
safe 运行 范围
脉冲波 宽度 t
w
(s)
r
th
t
w
normalized 瞬时 热的 阻抗
r
th
(°c/w)
0.1
0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
1
0.3
0.5
3
5
10
30
50
100
300
1000
设备 挂载 在 一个 glass-环氧的 板 (一个) (便条 2a)
(1) 单独的-设备 运作 (便条 3a)
(2) 单独的-设备 值 在 双 运作 (便条 3b)
设备 挂载 在 一个 glass-环氧的 板 (b) (便条 2b)
(3) 单独的-设备 运作 (便条 3a)
(4) 单独的-设备 值 在 双 运作 (便条 3b)
(1)
500
(2)
(3)
(4)
单独的 脉冲波
0.01
0.01 0.03 0.1 0.3 1 3 10 10030
0.03
0.05
0.1
0.3
0.5
1
3
5
10
30
100
50
*
单独的 脉冲波 ta
=
25°C
曲线 必须 是 derated 成直线地
和 增加 在 温度.
I
D
最大值 (脉冲波)
*
1 ms
*
V
DSS
最大值
单独的-设备 值 在 双
运作 (便条 3b)
10 ms
*
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