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资料编号:657217
 
资料名称:TPCS8209
 
文件大小: 362.44K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
TPCS8209
2002-01-17
5
R
ds (在)
– ta
I
DR
– v
DS
电容 – v
DS
V
th
– ta
P
D
– ta
动态 输入/输出 特性
0
100
50 0 150 100 50
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
一般 源
V
DS
=
10 v
I
D
=
200
µ
一个
脉冲波 测试
一般 源
脉冲波 测试
0
50
10
20
30
40
50
60
0 50 150 100
I
D
=
5 一个
2.5
1.25
I
D
=
5, 2.5, 1.25 一个
I
D
=
5, 2.5, 1.25 一个
V
GS
=
4.0 v
V
GS
=
2.5 v
V
GS
=
2.0 v
10
0.1
100
1000
10000
1 10 100
C
iss
C
oss
C
rss
一般 源
Ta
=
25°C
f
=
1MHz
V
GS
=
0 v
流 电源 消耗 P
D
(w)
门 门槛 电压 V
th
(v)
包围的 温度 ta (°c)
流-源 在 阻抗
R
ds (在)
(m
)
流-源 电压 v
DS
(v)
流-源 电压 v
DS
(v)
电容 c (pf)
包围的 温度 ta (°c)
包围的 温度 ta (°c)
流-源 电压 v
DS
(v)
门-源 电压 V
GS
(v)
总的 门 承担 Q
g
(nc)
流 反转 电流 I
DR
(一个)
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
50 100 200 150
(1)
(4)
(3)
(2)
设备 挂载 在 一个 glass-环氧的 板 (一个)
(便条 2a)
(1) 单独的-设备 运作 (便条 3a)
(2) 单独的-设备 值 在 双 运作 (便条 3b)
设备 挂载 在 一个 glass-环氧的 板 (b)
(便条 2b)
(3) 单独的-设备 运作 (便条 3a)
(4) 单独的-设备 值 在 双
运作 (便条 3b)
t
=
10 s
0
0
5
10
15
20
25
30
4 8 12 16 20 24 28 32
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
=
16 v
一般 源
I
D
=
5 一个
Ta
=
25°C
脉冲波 测试
V
GS
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0.3
0.5
1
10
3
5
V
GS
=
0 v
一般 源
Ta
=
25°C
脉冲波 测试
1 2 4
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