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资料编号:657234
 
资料名称:TPC8107
 
文件大小: 219.55K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSIII)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
TPC8107
2003-02-20
2
热的 特性
特性 标识 最大值 单位
热的 阻抗, 频道 至 包围的
(t
10 s) (便条 2a)
R
th (ch-一个)
65.8 °c/w
热的 阻抗, 频道 至 包围的
(t
10 s) (便条 2b)
R
th (ch-一个)
125 °c/w
标记
(便条 5)
便条 1: 请 使用 设备 在 情况 那 这 频道 温度 是 在下 150°c.
便条 2: (一个) 设备 挂载 在 一个 glass-环氧的 板 (一个) (b) 设备 挂载 在 一个 glass-环氧的 板 (b)
便条 3: V
DD
24 v, t
ch
25°c (最初的), l
1.0 mh, r
G
25
, i
AR
13 一个
便条 4: repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用 最大 频道 温度
便条 5:

在 更小的 left 的 这 标记 indicates 管脚 1.
类型
TPC8107
(一个)
fr-4
25.4
25.4
0.8
(单位: mm)
(b)
fr-4
25.4
25.4
0.8
(单位: mm)
lot 非.
weekly 代号: (三 digits)
week 的 制造
(01 为 第一 week 的 年, 持续 向上 至 52 或者 53)
年 的 制造
(一个 低-顺序 digits 的 calendar 年)
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