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资料编号:657234
资料名称:
TPC8107
文件大小: 219.55K
说明
:
介绍
:
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSIII)
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
TPC8107
2003-02-20
4
I
D
– v
DS
I
D
– v
DS
I
D
– v
GS
V
DS
– v
GS
|Y
fs
| – i
D
R
ds (在)
– i
D
向前 转移 admittance
Y
fs
(s)
流-源 电压
V
DS
(v)
流-源 电压
V
DS
(v)
流 电流
I
D
(一个)
流-源 电压
V
DS
(v)
流 电流
I
D
(一个)
门-源 电压 v
GS
(v)
流 电流
I
D
(一个)
门-源 电压 v
GS
(v)
流 电流
I
D
(一个)
流 电流
I
D
(一个)
流-源 在 阻抗
R
ds (在)
(m
)
2
3
4
5
一般 源
V
DS
10 v
脉冲波 测试
0
20
30
40
50
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0
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Ta
55°C
25
8
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一般 源
Ta
25°C
脉冲波 测试
0
0.2
0.3
0.4
0.5
0.1
0
4
I
D
13 一个
3
6.5
0.3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
一般 源
V
DS
10 v
脉冲波 测试
Ta
55°C
100
25
0.3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
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一般 源
Ta
25°C
脉冲波 测试
10
V
GS
4 v
2
3
4
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一般 源
Ta
25°C
脉冲波 测试
2.2
V
GS
2 v
0
20
30
40
50
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0
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3
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2.4
2.6
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一般 源
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脉冲波 测试
V
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2 v
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