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资料编号：657234
 
资料名称：TPC8107
 
文件大小： 219.55K
   
说明：
 
介绍:
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSIII)
 
 


: 点此下载
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7 		 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
TPC8107
2003-02-20
5
R
ds (在)
– ta
I
DR
– v
DS
电容 – v
DS
V
th
– ta
P
D
– ta
动态 输入/输出 特性
流 电源 消耗 P
D
(w)
门 门槛 电压 V
th
(v)
包围的 温度 ta (°c)
流-源 在 阻抗
R
ds (在)
(m
)
流-源 电压 V
DS
(v)
流-源 电压 V
DS
(v)
电容 c (pf)
包围的 温度 ta (°c)
包围的 温度 ta (°c)
流-源 电压 V
DS
(v)
门-源 电压 v
GS
(v)
总的 门 承担 q
g
(nc)
流 反转 电流 I
DR
(一个)
30
0.1
0.3
1
3
10
30
100
100
300
1000
3000
10000
C
rss
C
oss
C
iss
一般 源
V
GS
0 v
f
1 mhz
Ta
25°C
1.2
0
80
40 0 40 120 160 80
0.4
0.8
1.6
2.0
一般 源
V
DS
10 v
I
D
1 毫安
脉冲波 测试
80 120 160 200
0
0.8
1.2
1.6
2.0
0.4
0 40
(1) 设备 挂载 在 一个
glass-环氧的 板 (一个)
(便条 2a)
(2) 设备 挂载 在 一个
glass-环氧的 板 (b)
(便条 2b)
t
10 s
(1)
(2)
0
10
20
30
0 40 80 120 160
一般 源
I
D
13 一个
Ta
25°C
脉冲波 测试
V
DD
24 v
V
DS
V
GS
30
20
0
10
200
V
DD
24 v
12
12
6
6
0
80
40 0 40 120 160 80
10
20
30
V
GS
4 v
10
I
D
13 一个,
6.5 一个,
3 一个
I
D
13 一个,
6.5 一个,
3 一个
一般 源
脉冲波 测试
0
0.1
1
10
100
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
10
一般 源
Ta
25°C
脉冲波 测试
5
3
1
V
GS
0 v
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