tps1101, tps1101y
单独的 p-频道 增强-模式 mosfets
slvs079c – 12月 1993 – 修订 8月 1995
7
邮递 办公室 盒 655303
•
达拉斯市, 德州 75265
典型 特性
图示 7
1.2
0.9
0.8
0.6
1.3
1.4
静态的 流-至-源
在-状态 阻抗 (normalized)
vs
接合面 温度
1.5
1.1
1
0.7
– 50 0 50 100 150
T
J
– 接合面 温度 –
°
C
V
GS
= – 10 v
I
D
= – 1A
– 静态的 流-至-源
r
ds(在)
在-状态 阻抗 (normalized)
图示 8
– 0.1
– 0.1
源-至-流 二极管 电流
vs
源-至-流 电压
– 1
– 10
– 0.3 – 0.5 – 0.7
V
SD
– 源-至-流 电压 – v
– 0.9 – 1.1 – 1.3
T
J
= 25
°
C
T
J
= – 40
°
C
T
J
= 150
°
C
– 源-至-流 二极管 电流 – 一个
I
SD
脉冲波 测试
图示 9
0.2
0.1
0
– 1 – 3 – 5 – 7
0.3
0.4
静态的 流-至-源 在-状态 阻抗
vs
门-至-源 电压
0.5
– 9 – 11
– 13 – 15
V
GS
– 门-至-源 电压 – v
I
D
= – 1 一个
T
J
= 25
°
C
– 静态的 流-至-源 在-状态
r
ds(在)
阻抗 –
Ω
图示 10
– 1.2
– 1.1
– 门-至-源 门槛 电压 – v
– 1.3
– 1.4
门-至-源 门槛 电压
vs
接合面 温度
– 1.5
– 50 0 50 100 150
– 1
– 0.9
T
J
– 接合面 温度 –
°
C
ÁÁ
ÁÁ
ÁÁ
V
gs(th)
I
D
= – 250
µ
一个
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