tps1101, tps1101y
单独的 p-频道 增强-模式 mosfets
slvs079c – 12月 1993 – 修订 8月 1995
6
邮递 办公室 盒 655303
•
达拉斯市, 德州 75265
典型 特性
图示 3
– 5
– 4
– 2
– 1
0
– 9
– 3
0 – 1– 2– 3– 4– 5– 6
– 流 电流 – 一个
– 7
– 6
– 8
流 电流
vs
流-至-源 电压
– 10
– 7 – 8 – 9 – 10
V
GS
= – 8 v
V
GS
= – 3 v
V
GS
= – 4 v
V
GS
= – 2 v
ÁÁ
ÁÁ
I
D
V
DS
– 流-至-源 电压 – v
V
GS
= – 5 v
T
J
= 25
°
C
图示 4
– 6
– 4
– 2
0
0 – 2 – 3 – 5
– 8
流 电流
vs
门-至-源 电压
– 10
– 1 – 4
– 流 电流 – 一个
ÁÁ
ÁÁ
I
D
T
J
= 25
°
C
T
J
= 150
°
C
V
GS
– 门-至-源 电压 – v
T
J
= – 40
°
C
V
DS
= – 10 v
图示 5
0.3
0.2
0.1
0
– 0.1 – 1
– 静态的 流-至-源 在-状态
0.4
0.5
静态的 流-至-源 在-状态 阻抗
vs
流 电流
– 10
I
D
– 流 电流 – 一个
r
ds(在)
V
GS
= – 4.5 v
V
GS
= – 10 v
T
J
= 25
°
C
阻抗 –
Ω
V
GS
= – 2.7 v
V
GS
= – 3 v
图示 6
500
400
200
100
0 – 1 – 2 – 3 – 4 – 5 – 6
c – 电容 – pf
600
700
电容
†
vs
流-至-源 电压
800
– 7 – 8 – 9 –12
300
–10 –11
C
oss
C
rss
‡
V
DS
– 流-至-源 电压 – v
C
iss
†
V
GS
= 0 v
f = 1 mhz
T
J
= 25
°
C
†
C
rss
+
C
gd
,c
oss
+
C
ds
)
C
gs
C
gd
C
gs
)
C
gd
≈
C
ds
)
C
gd
‡
C
iss
+
C
gs
)
C
gd
,c
ds(短接)
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