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资料编号:657959
 
资料名称:TPS1101D
 
文件大小: 161.41K
   
说明
 
介绍:
SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS
 
 


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tps1101, tps1101y
单独的 p-频道 增强-模式 mosfets
slvs079c – 12月 1993 – 修订 8月 1995
9
邮递 办公室 盒 655303
达拉斯市, 德州 75265
热的 信息
图示 12
– 1
– 0.1
– 0.01
– 10
– 0.1 – 1 – 10 – 100
– 流 电流 – 一个
流 电流
vs
流-至-源 电压
I
D
V
DS
– 流-至-源 电压 – v
– 100
直流
10 s
1 s
0.1 s
0.01 s
0.001 s
单独的 脉冲波
看 便条 一个
T
J
= 150
°
C
T
一个
= 25
°
C
便条 一个: 值 是 为 这 d 包装 和 是
fr4-板-挂载 仅有的.
图示 13
10
1
0.1
100
0.001 0.01 0.1 1 10
单独的 脉冲波
看 便条 一个
– 瞬时 接合面-至-ambientz
c/w
°
θ
JA
热的 阻抗 –
瞬时 接合面-至-包围的
热的 阻抗
vs
脉冲波 持续时间
t
w
– 脉冲波 持续时间 – s
便条 一个: 值 是 为 这 d 包装 和 是
fr4-板-挂载 仅有的.
应用 信息
加载
3 v 或者 5 v
微控制器
图示 14. notebook 加载 管理
微控制器
承担
打气
5 v
–4 v
gaas 场效应晶体管
放大器
驱动器
图示 15. cellular phone 输出 驱动
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