UTRON
UT62256C
rev. 1.0
32k x 8 位 低 电源 cmos sram
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utron 技术 公司 p80027
1f, 非. 11, r&放大;d rd. ii, science-based industrial 园区, hsinchu, 台湾, r. o. c.
电话: 886-3-5777882 传真: 886-3-5777919
2
绝对 最大 比率
*
参数 标识 比率 单位
终端 电压 和 遵守 至 v
SS
V
期
-0.5 至 +7.0 V
运行 温度 T
一个
0 至 +70
℃
存储 温度 T
STG
-65 至 +150
℃
电源 消耗 P
D
1W
直流 输出 电流 I
输出
50毫安
焊接 温度 (下面 10 sec0 Tsolder 260
℃
*stresses 更好 比 那些 列表 下面 “absolute 最大 ratings” 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备.
这个 是 一个 压力 比率 仅有的 和 函数的 运作 的 这 设备 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这
运算的 sections 的 这个 明确的ation 是 不 暗指. 暴露 至 the 绝对 最大 rating 情况 为
扩展 时期 将 影响 设备 可靠性.
真实 表格
模式
CE
OE
我们
i/o 运作 供应 电流
备用物品 h x x 高 - z isb, isb1
输出 使不能运转 L H H 高 - z I
CC
读 l l hD
输出
I
CC
写 l x lD
在
I
CC
便条: h = v
IH
, l=v
IL
, x = don't 小心.
直流 电的 特性
(vcc = 5v±10%, ta = 0
℃
至 70
℃
)
参数
标识
测试 情况 最小值典型值 最大值 单位
输入 高 电压 V
IH
2.2 - vcc+0.5 v
输入 低 电压 V
IL
- 0.5 - 0.8 V
输入 泄漏 current I
LI
V
SS
≦
V
在
≦
V
CC
- 1 - 1
µ
一个
输出 泄漏
电流
I
LO
V
SS
≦
V
i/o
≦
V
CC
CE
=V
IH
或者
OE
= v
IH
或者
我们
= v
IL
- 1 - 1
µ
一个
输出 高 电压 V
OH
I
OH
= - 1ma 2.4 - - V
输出 低 电压 V
OL
I
OL
= 4ma - - 0.4 V
- 35 - 40 50 毫安I
CC
CE
= v
IL
,
I
i/o
= 0ma ,循环=最小值.
- 70 - 30 40 毫安
I
CC
1 tcycle
=500ns
- - 20毫安
运行 电源
供应 电流
I
CC
2
CE
= 0.2v; i
i/o
= 0ma
其它 管脚 在 0.2v 或者
V
CC
-0.2v
Tcycle
=1ms
- - 10毫安
I
SB
CE
=V
IH
1 10 毫安
I
SB1
CE
≧
V
CC
-0.2v
正常的 -
0.3 5 毫安
I
SB
CE
=V
IH
-l/-ll - - 3 毫安
I
SB1
CE
≧
V
CC
-0.2v
-l - 2 100
µ
一个
备用物品 电源
供应 电流
-ll - 1 50
µ
一个
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