UT62256CPC-70_集成电路资料查询网

UTRON
UT62256C
rev. 1.0
 
32k x 8 位 低 电源 cmos sram
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utron 技术 公司                                             p80027
 1f, 非. 11, r&放大;d rd. ii, science-based industrial 园区, hsinchu, 台湾, r. o. c. 
电话: 886-3-5777882   传真: 886-3-5777919
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
数据 保持 特性
(ta = 0
℃
至 70
℃
)
参数 标识  测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
vcc 为 数据 保持
V
DR
CE
≧
V
CC
-0.2v
2.0 - 5.5 v
 数据 保持 电流
I
DR
Vcc=3V
- l - 1 50
µ
一个
CE
≧
V
CC
-0.2v
- ll - 0.5 20
µ
一个
 碎片 使不能运转 至 数据
t
CDR
 看 数据 保持
0 - - ns
保持 时间
波形 (在下)
恢复 时间
t
R
t
RC*
- -ns
t
RC*
= 读 循环 时间
数据 保持 波形
t
CDR
t
R
4.5v
V
CC
CE
V
SS
数据 保持 模式
V
DR
≧
2V
CE
≧
V
CC
-0.2v
4.5v

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UTRON UT62256C rev. 1.0 32k x 8 位低电源 cmos sram _____________________________________________________________________________________________ utron 技术公司 p80027 1f, 非. 11, r&放大;d rd. ii, science-based industrial 园区, hsinchu, 台湾, r. o. c. 电话: 886-3-5777882 传真: 886-3-5777919 6  数据保持特性 (ta = 0 ℃ 至 70 ℃ ) 参数标识测试情况最小值典型值最大值单位 vcc 为数据保持 V DR CE ≧ V CC -0.2v 2.0 - 5.5 v 数据保持电流 I DR Vcc=3V - l - 1 50 µ 一个 CE ≧ V CC -0.2v - ll - 0.5 20 µ 一个碎片使不能运转至数据 t CDR 看数据保持 0 - - ns 保持时间波形 (在下) 恢复时间 t R t RC* - -ns t RC* = 读循环时间数据保持波形 t CDR t R 4.5v V CC CE V SS 数据保持模式 V DR ≧ 2V CE ≧ V CC -0.2v 4.5v

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