UTRON
UT62256C
rev. 1.0
32k x 8 位 低 电源 cmos sram
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utron 技术 公司 p80027
1f, 非. 11, r&放大;d rd. ii, science-based industrial 园区, hsinchu, 台湾, r. o. c.
电话: 886-3-5777882 传真: 886-3-5777919
4
定时 波形
读 循环 1
(地址 控制)
(1,2,4)
t
RC
地址
DOUT 数据 有效的
t
AA
t
OH
t
OH
读 循环 2
(
CE
和
OE
控制)
(1,3,5,6)
D
输出
地址
CE
OE
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OE
t
CLZ
t
OLZ
高-z
t
OHZ
t
CHZ
数据 有效的
高-z
t
OH
注释 :
1.
我们
是 高 为 读 循环.
2. 设备 是 continuously 选择
CE
=V
il.
3. 地址 必须 是 有效的 较早的 至 或者 coincident 和
CE
转变; 否则 t
AA
是 这 限制的 参数.
4.
OE
是 低.
5. t
CLZ
, t
OLZ
, t
CHZ
和 t
OHZ
是 指定 和 c
L
= 5pf. 转变 是 量过的
±
500mv 从 稳步的 状态.
6. 在 任何 给 温度 和 电压 情况, t
CHZ
是 较少 比 t
CLZ
, t
OHZ
是 较少 比 t
olz.
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