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资料编号:690015
 
资料名称:TC55VCM216ASTN55
 
文件大小: 201K
   
说明
 
介绍:
TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
 
 


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tc55vcm216astn40,55
2002-07-04 3/14
运行 模式
模式
1CE
CE2
OE
r/w LB
UB
i/o1~i/o8 i/o9~i/o16 电源
l h l h ll 输出 输出 I
DDO
l h l h h l 高-z 输出 I
DDO
l h l h l h 输出 高-z I
DDO
l h
*
l l l 输入 输入 I
DDO
l h
*
l h l 高-z 输入 I
DDO
l h
*
l l h 输入
高-z
I
DDO
l h h h lL
高-z 高-z
I
DDO
l h h h h l
高-z 高-z
I
DDO
输出 deselect
l h h h l h
高-z 高-z
I
DDO
H
*
*
*
*
*
高-z 高-z
I
DDS
*
L
*
*
*
*
高-z 高-z
I
DDS
备用物品
* *
*
*
h h
高-z 高-z
I
DDS
*
= don't 小心
h = 逻辑 高
L = 逻辑 低
最大 比率
标识 比率 值 单位
V
DD
电源 供应 电压
0.3~4.2 v
V
输入 电压
0.3
*
~4.2 v
V
i/o
输入/输出 电压
0.5~v
DD
+
0.5 V
P
D
电源 消耗 0.6 W
T
焊盘
焊接 温度 (10s) 260 °C
T
stg
存储 温度
55~150 °c
T
opr
运行 温度
40~85 °c
*
:
2.0 v 当 量过的 在 一个 脉冲波 宽度 的 20ns
直流 推荐 运行 情况(
Ta
=
==
=
−−
40° 至 85°c
)
标识 参数 最小值 典型值 最大值
单位
V
DD
电源 供应 电压 2.3
3.6 V
V
DD
=
2.3 v~2.7 v 2.0
V
IH
输入 高 电压
V
DD
=
2.7 v~3.6 v 2.2
V
DD
+
0.3 V
V
IL
输入 低 电压
0.3
*
V
DD
×
0.24 V
V
DH
数据 保持 供应 电压 1.5
3.6 v
*
:
2.0 v 当 量过的 在 一个 脉冲波 宽度 的 20ns
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