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资料编号:690015
 
资料名称:TC55VCM216ASTN55
 
文件大小: 201K
   
说明
 
介绍:
TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
tc55vcm216astn40,55
2002-07-04 5/14
交流 特性 和 运行 情况
(ta
=
==
=
−−
40° 至 85°c, v
DD
=
==
=
2.7 至 3.6 v)
读 循环
TC55VCM216ASTN
40 55
标识 参数
最小值 最大值 最小值 最大值
单位
t
RC
读 循环 时间 40
55
t
ACC
地址 进入 时间
40
55
t
CO1
碎片 使能(
1CE
) 进入 时间
40
55
t
CO2
碎片 使能(ce2) 进入 时间
40
55
t
OE
输出 使能 进入 时间
25
30
t
BA
数据 字节 控制 进入 时间
40
55
t
COE
碎片 使能 低 至 输出 起作用的 5
5
t
OEE
输出 使能 低 至 输出 起作用的 0
0
t
数据 字节 控制 低 至 输出 起作用的 5
5
t
OD
碎片 使能 高 至 输出 高-z
20
25
t
ODO
输出 使能 高 至 输出 高-z
20
25
t
BD
数据 字节 控制 高 至 输出 高-z
20
25
t
OH
输出 数据 支撑 时间 10
10
ns
写 循环
TC55VCM216ASTN
40 55
标识 参数
最小值 最大值 最小值 最大值
单位
t
WC
写 循环 时间 40
55
t
WP
写 脉冲波 宽度 30
40
t
CW
碎片 使能 至 终止 的 写 35
45
t
BW
数据 字节 控制 至 终止 的 写 35
45
t
地址 建制 时间 0
0
t
WR
写 恢复 时间 0
0
t
ODW
r/w 低 至 输出 高-z
20
25
t
OEW
r/w 高 至 输出 起作用的 0
0
t
DS
数据 建制 时间 20
25
t
DH
数据 支撑 时间 0
0
ns
便条: t
OD
, t
ODO
, t
BD
和 t
ODW
是 指定 在 时间 当 一个 输出 变为 高 阻抗, 和 是 不 judged 取决于 在
一个 输出 电压 水平的.
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