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资料编号:690015
 
资料名称:TC55VCM216ASTN55
 
文件大小: 201K
   
说明
 
介绍:
TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
 
 


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tc55vcm216astn40,55
2002-07-04 4/14
直流 特性
(ta
=
==
=
−−
40° 至 85°c, v
DD
=
==
=
2.3 至 3.6 v)
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
IL
输入 泄漏
电流
V
=
0 v~v
DD
±
1.0
µ
一个
I
OH
输出 高 电流 V
OH
=
V
DD
0.5 v
0.5
毫安
I
OL
输出 低 电流 V
OL
=
0.4 v 2.1
毫安
I
LO
输出 泄漏
电流
1CE
=
V
IH
或者 ce2
=
V
IL
或者 LB
=
UB
=
V
IH
或者
r/w
=
V
IL
或者
OE
=
V
IH
, v
输出
=
0 v~v
DD
±
1.0
µ
一个
最小值
35
l
DDO1
1CE
=
V
IL
和 ce2
=
V
IH
r/w
=
V
IH
, LB
=
UB
=
V
IL
,
I
输出
=
0 毫安,
其它 输入
=
V
IH
/v
IL
t
循环
1
µ
s
8
毫安
最小值
30
l
DDO2
运行 电流
1CE
=
0.2 v 和 ce2
=
V
DD
0.2 v 和
r/w
=
V
DD
0.2 v, LB
=
UB
=
0.2 v,
I
输出
=
0 毫安,
其它 输入
=
V
DD
0.2 v/0.2 v
t
循环
1
µ
s
3
毫安
I
DDS1
1)
1CE
=
V
IH
或者 ce2
=
V
IL
2)
LB
=
UB
=
V
IH
1 毫安
V
DD
=
3.3 v
±
0.3 v
Ta
=
40~85°C
10
Ta
=
25°C
0.7
Ta
=
40~40°C
2
I
DDS2
备用物品 电流
1)
1CE
=
V
DD
0.2 v,
CE2
=
V
DD
0.2 v
2)
CE2
=
0.2 v
3)
LB
=
UB
=
V
DD
0.2 v,
1CE
=
0.2 v,
CE2
=
V
DD
0.2 v
V
DD
=
3.0 v
Ta
=
40~85°C
5
µ
一个
电容
(ta
=
==
=
25°c, f
=
==
=
1 mhz)
标识 参数 测试 情况 最大值 单位
C
输入 电容 V
=
10 pF
C
输出
输出 电容 V
输出
=
10 pF
便条: 这个 参数 是 periodically 抽样 和 是 不 100% 测试.
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