数据 薄板 d13338ej2v0ds
2
2SK3115
电的 特性 (t
一个
= 25°c)
特性 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 600 v, v
GS
= 0 v 100
µ
一个
门 泄漏 电流 I
GSS
V
GS
= ±30 v, v
DS
= 0 v ±100 nA
门 截-止 电压 V
gs(止)
V
DS
= 10 v, i
D
= 1 毫安 2.5 3.5 V
向前 转移 admittance | y
fs
|V
DS
= 10 v, i
D
= 3.0 一个 2.0 S
流 至 源 在-状态 阻抗 R
ds(在)
V
GS
= 10 v, i
D
= 3.0 一个 0.9 1.2
Ω
输入 电容 C
iss
V
DS
= 10 v 1100 pF
输出 电容 C
oss
V
GS
= 0 v 200 pF
反转 转移 电容 C
rss
f = 1 mhz 20 pF
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
V
DD
= 150 v, i
D
= 3.0 一个 18 ns
上升 时间 t
r
V
gs(在)
= 10 v 12 ns
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
R
G
= 10
Ω
, r
L
= 50
Ω
50 ns
下降 时间 t
f
15 ns
总的 门 承担 Q
G
V
DD
= 450 v 26 nC
门 至 源 承担 Q
GS
V
GS
= 10 v 6 nC
门 至 流 承担 Q
GD
I
D
= 6.0 一个 10 nC
身体 二极管 向前 电压 V
f(s-d)
I
F
= 6.0 一个, v
GS
= 0 v 1.0 V
反转 恢复 时间 t
rr
I
F
= 6.0 一个, v
GS
= 0 v 1.4
µ
s
反转 恢复 承担 Q
rr
di/dt = 50 一个/
µ
s6.5
µ
C
测试 电路 3 门 承担
V
GS
= 20
→
0 v
pg.
R
G
= 25
Ω
50
Ω
d.u.t.
L
V
DD
测试 电路 1 avalanche 能力
pg.
d.u.t.
R
L
V
DD
测试 电路 2 切换 时间
R
G
pg.
I
G
= 2 毫安
50
Ω
d.u.t.
R
L
V
DD
I
D
V
DD
I
作
V
DS
BV
DSS
开始 t
ch
V
GS
0
τ
= 1
µ
s
职责 循环
≤
1%
τ
V
GS
波 表格
V
DS
波 表格
V
GS
V
DS
10%
0
0
90%
90%
90%
V
gs(在)
V
DS
t
在
t
止
t
d(在)
t
r
t
d(止)
t
f
10% 10%
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