数据 薄板 d13338ej2v0ds
6
2SK3115
单独的 avalanche 电流 vs.
inductive 加载
100
µ
1 m 10 m
100
l - inductive 加载 - h
I
作
- 单独的 avalanche 电流 - 一个
1.0
10
0.1
10
µ
R
G
= 25
Ω
V
DD
= 150 v
V
GS
= 20
→
0 v
开始 t
ch
= 25
˚C
E
作
= 24 mj
I
作
= 6 一个
单独的 avalanche 活力
减额 因素
75 150125
120
100
80
60
40
20
0
开始 t
ch
- 开始 频道 温度 -˚C
活力 减额 因素 - %
50 10025
V
DD
= 150 v
R
G
= 25
Ω
V
GS
= 20
→
0 v
I
作
≤
6 一个
包装 绘画 (单位: mm)
10.0
±
0.3
3.2
±
0.2
φ
4.5
±
0.2
2.7
±
0.2
2.5
±
0.1
0.65
±
0.11.5
±
0.2
2.54
1.3
±
0.2
2.54
0.7
±
0.1
4
±
0.2
15.0
±
0.3
12.0
±
0.2
3
±
0.1
123
1.门
2.流
3.源
13.5
最小值
分开的 至-220(mp-45f)
Remark
强 electric 地方, 当 exposed 至 这个 设备, 能 导致 destruction 的 这 门 oxide 和 ultimately 降级
这 设备 运作. 步伐 必须 是 带去 至 停止 一代 的 静态的 electricity 作 更 作 可能, 和 quickly
dissipate 它 once, 当 它 有 occurred.
相等的 电路
身体
二极管
源 (s)
流 (d)
门 (g)
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