关于我们
收藏本站
首页
|
最新需求
|
最新现货
|
IC库存
|
供应商
|
IC英文资料库
|
IC中文资料库
|
IC价格
|
电路图 |
应用资料
|
技术资料
IC型号:
您现在的位置:首页 > IC英文资料库
进入
手机版
资料编号:744460
资料名称:
2SK3115
文件大小: 69K
说明
:
介绍
:
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
数据 薄板 d13338ej2v0ds
5
2SK3115
流 至 源 在-状态 阻抗 vs.
频道 温度
50
150
R
ds (在)
- 流 至 源 在-状态 阻抗 -
Ω
I
D
= 6.0 一个
3.0 一个
2.0
0
0
100
−
50
T
ch
- 频道 温度 -
˚C
3.0
1.0
V
GS
= 10 v
搏动
源 至 流 二极管 向前 电压
V
SD
- 源 至 流 电压 - v
I
SD
- 二极管 向前 电流 - 一个
1.51.00.50
100
10
1.0
0.1
搏动
0 v
V
GS
= 10 v
1000100101.0
10000
1000
100
10
1
电容 vs. 流 至
源 电压
C
iss
, c
oss
, c
rss
- 电容 - pf
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
- 流 至 源 电压 - v
V
GS
=
0
V
f
=
1
MHz
切换 特性
0.1
1
10
I
D
- 流 电流 - 一个
td
(在)
, tr, td
(止)
, tf - 切换 时间 - ns
100
10
1
0.1
V
DD
=
150
V
V
GS
= 10
V
R
G
=
10
Ω
t
d(止)
t
d(在)
t
f
t
r
反转 恢复 时间 vs.
流 电流
1.0
10
100
t
rr
- 反转 恢复 时间 - ns
0.1
I
D
- 流 电流 - 一个
10000
1000
100
10
di/dt = 50 一个/
µ
s
V
GS
= 0 v
Q
g
- 门 承担 - nc
V
DS
- 流 至 源 电压 - v
020
10
30
40
600
400
200
动态 输入/输出 特性
V
GS
- 门 至 源 电压 - v
16
14
12
10
8
6
4
2
0
I
D
= 6 一个
V
GS
V
DD
= 450 v
300 v
120 v
V
DS
资料评论区
:
点击
回复
标题
作者
最后回复时间
标 题:
内 容:
用户名:
手机号:
(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
关于我们
|
联系我们
电 话
:
13410210660
QQ :
84325569
联系方式:
E-mail:CaiZH01@163.com